【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器,具体为一种mems平板电容式差压压力传感器。
技术介绍
1、现有的mems压力计一般是先做一层薄膜结构,将压力作用到薄膜之上,使其产生形变,以薄膜的变化量来测量压力的变化。测量方式通常是在薄膜上添加电桥结构,通过测量电阻变化来反映压力的变化。还有一种测量方式是在薄膜附近设置平板电容,通过测量薄膜和平板电容之间电容的变化来检测压力的变化。上述测量方式存在的问题是均是依靠薄膜的单侧形变,导致误差较大。此外,中国专利cn102445298a公开了一种薄膜在中间变化,双面极板固定并打孔的结构,该结构存在的问题是压力介质通过小孔作用到中间感压膜上,测量时的响应速度较慢。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种mems平板电容式差压压力传感器,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
3、一种mems平板电容式差压压力传感器,包括:外框(1),用于作为承载结构;平板电极(4),固定设置在所述外框(1)内;第
...【技术保护点】
1.一种MEMS平板电容式差压压力传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的MEMS平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述第一薄膜(2)用于被施加被测压力,所述第二薄膜(3)用于被施加固定压力。
3.根据权利要求1所述的MEMS平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述平板电极(4)设置在所述刚性连接体(5)的周边。
4.根据权利要求1所述的MEMS平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述平板电极(4)为一个连续的整体结构、两个对半的结构、或四个四份之一结构。
5.根据权利要求1所述的MEMS平板电容式差
...【技术特征摘要】
1.一种mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述第一薄膜(2)用于被施加被测压力,所述第二薄膜(3)用于被施加固定压力。
3.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述平板电极(4)设置在所述刚性连接体(5)的周边。
4.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述平板电极(4)为一个连续的整体结构、两个对半的结构、或四个四份之一结构。
5.根据权利要求1所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,所述刚性连接体(5)为单个,位于所述第一薄膜(2)或所述第二薄膜(3)的中心处;或者所述刚性连接体(5)为多个,成阵列排布。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的mems平板电容式差压压力传感器,其特征在于,在所述外框(1)中,所述第一薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员:房亮,
申请(专利权)人:上海蓝威微机电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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