具有宽谱段体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及光电材料和器件技术领域，尤其涉及一种具有体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法。本发明专利技术提供了一种范德华碲纳米材料的制备方法，包括以下步骤：以碲化硒为原料，在衬底的表面进行化学气相沉积，得到所述范德华碲纳米材料；所述化学气相沉积在通氮气的条件下进行。所述制备方法制备得到的范德华碲纳米材料可以使光电器件的体光伏响应具有很宽的谱段和高光电流密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电材料和器件，尤其涉及具有宽谱段体光伏响应的范德华碲纳米材料及其制备方法和应用、光电器件及其制备方法。

技术介绍

1、高效的光电转换在成像、自由空间通信和清洁能源等多种应用中至关重要。作为一种二阶光学效应，体光伏效应由于其在克服传统p-n结光伏效应中固有的shockley-queisser效应极限存在巨大的潜力，已成为深入研究的热电。最初在铁电氧化物材料(如linbo3、batio3和pb(zrxti1-x)o3)中观察到的体光伏效应为在各种材料中进行广泛研究提供了前所未有的机会。除了铁电氧化物材料，近期的研究还深入探讨了铁电超晶格、钙钛矿型卤化物、有机晶体、半金属和范德瓦尔斯材料。值得注意的是，具有低维性、强对称破缺和高应变兼容性的范德瓦尔斯材料展示了出色的体光伏效应。例如，面内拉伸应变破坏了菱面体型mos2的反转对称性，在630nm光照下产生了高达10a·cm-2体光伏响应电流。由于半导体和异质结构中的带间光学跃迁，目前体光伏响应主要集中在从紫外到可见光的有限波长范围内。尽管在半金属中的berry曲率和散射可以产生中波红外体光伏响应，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种范德华碲纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、玻璃衬底、云母衬底或蓝宝石衬底；

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通氮气的过程中，氮气的流量为30～80sccm。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积在加热的条件下进行；

5.权利要求1～4任一项所述制备方法制备得到的范德华碲纳米材料，其特征在于，所述范德华碲纳米材料的长度为3.73～12.28μm，厚度小于200nm。

6.权利要求5所述的范德华碲纳米材料在光...

【技术特征摘要】

1.一种范德华碲纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、玻璃衬底、云母衬底或蓝宝石衬底；

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通氮气的过程中，氮气的流量为30～80sccm。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积在加热的条件下进行；

5.权利要求1～4任一项所述制备方法制备得到的范德华碲纳米材料，其特征在于，所述范德华碲纳米材料的长度为3.73～12.28μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡伟达，王振，王鹏，赵天歌，余羿叶，王芳，姚碧霂，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：