本发明专利技术涉及模型优化领域，公开了一种优化光刻胶模型一致性的方法、装置、电子设备、存储介质，包括步骤S11：当对光刻胶模型中的模拟项参数进行当前代搜索和仿真后，对与光刻胶模型对应的测试图形进行移位；步骤S12：确定在测试图形移位后与预设采样点处的关键尺寸对应的光刻胶参数密度差；步骤S13：根据光刻胶参数密度差与预设密度差阈值的关系，确定代价函数的函数值；步骤S14：对光刻胶模型中的模拟项参数进行下一代的搜索和仿真，并进入步骤S11，直至光刻胶模型中的模拟项参数进行搜索和仿真的代数等于预设代数阈值；步骤S15：确定所有函数值中的最小值，将最小的函数值作为光刻胶优化最终结果，可以提升光刻胶模型一致性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模型优化领域，特别是涉及一种优化光刻胶模型一致性的方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质。
技术介绍
1、光刻技术是半导体制造工艺中的一项重要技术，光刻技术包括光刻胶涂覆、曝光以及显影技术。负向显影技术是解决特征尺寸较小而周期较大图形的高保真度成像的关键技术，负向显影所使用的光刻胶具有良好的粘附能力和阻挡作用，感光速度快，但是显影时会发生变形和膨胀，负向显影的热收缩效应更为强烈，负显影效应明显，为了保证模型准确度，通常会使用更多光刻胶参数来进行模型校准。
2、光刻胶模型的一致性在负显影工艺过程中是评价光刻胶模型好坏的重要的标准。目前光刻胶模型的一致性的控制方法，对光刻胶模型参数进行多次的参数搜索和访问，并在每次参数搜索和访问之后输出一个表征值，然后从所有的表征值中选取处最小的表征值，作为最终的优化结果。目前的这种方式仅在模型参数校准后进行验证，无法从源头上遏制一致性问题的产生，不确定性高，模型优化周期可能会因此问题而加长。
3、因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
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【技术保护点】
1.一种优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，根据所述光刻胶参数密度差与预设密度差阈值的关系，确定代价函数的函数值包括：
3.如权利要求2所述的优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，根据所述测试图形移位后在预设采样点处的所述关键尺寸和实际测量关键尺寸，确定所述函数值包括：
4.如权利要求2所述的优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，根据所述测试图形移位后在预设采样点处的所述关键尺寸、实际测量关键尺寸以及惩罚项参数，确定所述函数值包括：
5.如权利要求1至4任一项所述...
【技术特征摘要】
1.一种优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，根据所述光刻胶参数密度差与预设密度差阈值的关系，确定代价函数的函数值包括：
3.如权利要求2所述的优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，根据所述测试图形移位后在预设采样点处的所述关键尺寸和实际测量关键尺寸，确定所述函数值包括：
4.如权利要求2所述的优化光刻胶模型一致性的方法，其特征在于，根据所述测试图形移位后在预设采样点处的所述关键尺寸、实际测量关键尺寸以及惩罚项参数，确定所述函数值包括：
5.如权利要求1至4任一项所述的优化光刻胶模...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩旭，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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