一种碲化镉多晶的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种碲化镉多晶的制备方法，包括以下步骤：A）将碲粉装填在石英管底部；B）将碲粉和镉粉的混合粉末后装填到石英管内，与碲粉相接触但不混合，使得石英管垂直放置时碲粉和镉粉的混合粉末在碲粉的上方；C）真空焊封石英管，垂直置于可上下移动的加热装置上方；D）将加热器从石英管底部开始向上移动进行加热，当石英管中物料脱离加热区域后，停止加热和移动，冷却后得到碲化镉多晶。本发明专利技术中的方法能够在低于碲化镉熔点的温度下直接制备得到碲化镉多晶的致密锭块，无需再升温至超过碲化镉熔点以熔融成锭。本发明专利技术中的方法有效控制反应剧烈程度，减少合成时物料喷溅造成的物料损失，提高产品收率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料，尤其涉及一种碲化镉多晶的制备方法。

技术介绍

1、碲化镉是一种化合物半导体材料，其能隙值为1.45ev，且是直接能隙，处于理想的太阳电池能隙范围，有很好的光电转换效率。碲化镉薄膜太阳能电池制造成本低，效率高，适合大规模的产业化，也用于制作红外调制器、hgcdte衬底、红外窗场致发光器件、光电池、红外探测、x射线探测等。

2、目前，合成碲化镉的方法多种多样，主要是采用碲粉和镉粉混合合成。如专利cn103818886b公开了一种碲化镉的制备方法，该方法是将碲粉和镉粉按摩尔比1:1均质混合后置于石墨舟中，再放入合成炉中排出空气后，分三段升温进行一次合成；同样专利cn103420346b公开了一种碲化镉的制备方法，该方法是将碲粉和镉粉按摩尔比为1:1混合，放置于石墨舟中，再放到合成炉中的石英管中，排出空气后，分三段升温进行一次合成。但现有技术中碲化镉的合成中因碲粉和镉粉反应剧烈，甚至会造成喷溅，使碲化镉造成浪费，产品收率低。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种碲化镉多本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碲化镉多晶的制备方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A）中的碲粉纯度为5N，粒径为100~150目。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B）中碲粉的纯度为5N，粒径为100~150目。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B）中镉粉的纯度为5N，粒径为100~150目。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B）中碲粉和镉粉的摩尔比为1：（0.9~1.1）。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B）中碲粉和镉粉...

【技术特征摘要】

1.一种碲化镉多晶的制备方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a）中的碲粉纯度为5n，粒径为100~150目。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b）中碲粉的纯度为5n，粒径为100~150目。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b）中镉粉的纯度为5n，粒径为100~150目。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b）中碲粉和镉粉的摩尔比为1：（0.9~1.1）。

6.根据权利要求4所述的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏湛，李康，张建波，
申请(专利权)人：广东晶智光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：