研磨方法及研磨设备技术

技术编号:43866125 阅读:52 留言:0更新日期:2024-12-31 18:52
本发明专利技术揭示了研磨方法及研磨设备,其中研磨方法每个承片台上的待加工晶圆根据如下步骤进行研磨:S1,待加工晶圆同心放置到承片台上后,通过承片台的紧固装置将待加工晶圆的框架固定;S2,通过分度台驱动承片台转动到第一研磨设备构下方;S3,控制第一插头组件连接与承片台匹配的插座组件,使承片台将待加工晶圆吸附固定,使承片台驱动待加工晶圆自转,第一研磨设备构启动对待加工晶圆进行减薄;S4,第一研磨设备构完成减薄后,控制第一插头组件与插座组件分离,接着通过分度台控制承片台转动到第二研磨设备构下方;S5,控制第二插头组件连接与承片台匹配的插座组件,使承片台将待加工晶圆吸附固定,使承片台驱动待加工晶圆自转,第二研磨设备构启动对所述待加工晶圆进行减薄;S6,第二研磨设备构完成减薄后,控制第二插头组件与插座组件分离,接着通过分度台控制承片台转动到上下料位置;S7,解除紧固装置对框架的固定后下料。本发明专利技术可以使分度台始终沿单个方向运转而不会出现与管线干涉的问题,有效克服了现有方案分度台无法单向运转的不足,避免了分度台无效的空行程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件加工领域,尤其是研磨方法及研磨设备


技术介绍

1、在半导体晶圆加工过程中,对晶圆进行磨削减薄是常用的加工工艺。

2、申请公布号为cn118234597a的专利技术专利申请揭示了一种多工位的研磨设备,这种结构中是通过分度台来带动三个承片台在第一研磨设备构、第二研磨设备构及上下料位置之间移动。

3、由于在加工过程中,涉及到为每个承片台供电、接气、供水等,由于分度台不方便安装滑环来实现上述功能,因此,为了方便各种管线的安装,是使分度台通过拖链来接管线。

4、这种结构导致分度台不能沿单个方向持续运转,必须在转动一定角度后复位。


技术实现思路

1、本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提供一种研磨方法及研磨设备。

2、本专利技术的目的通过以下技术方案来实现:

3、研磨方法,每个承片台上的待加工晶圆根据如下步骤进行研磨:

4、s1,待加工晶圆同心放置到所述承片台上后,通过承片台的紧固装置将所述待加工晶圆的框架本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.研磨方法,其特征在于:每个承片台上的待加工晶圆根据如下步骤进行研磨:

2.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:在处于上下料位置的承片台上同心放置待加工晶圆后,控制第三插头组件连接与所述承片台匹配的插座组件,然后控制所述紧固装置将所述待加工晶圆的框架磁吸固定;

3.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:所述承片台通过围设在其外周的驱动带驱动自转。

4.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:驱动所述承片台的驱动电机设置有带多圈绝对值编码器,根据所述带多圈绝对值编码器确定所述分度台的转动角度。

5.根据权利要求1所述的研磨方法,...

【技术特征摘要】

1.研磨方法,其特征在于:每个承片台上的待加工晶圆根据如下步骤进行研磨:

2.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:在处于上下料位置的承片台上同心放置待加工晶圆后,控制第三插头组件连接与所述承片台匹配的插座组件,然后控制所述紧固装置将所述待加工晶圆的框架磁吸固定;

3.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:所述承片台通过围设在其外周的驱动带驱动自转。

4.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:驱动所述承片台的驱动电机设置有带多圈绝对值编码器,根据所述带多圈绝对值编码器确定所述分度台的转动角度。

5.根据权利要求1所述的研磨方法,其特征在于:所述第一插头组件和/或第二插头组件包括插拔驱动器,所述插拔驱动器连接固定块并驱动所述固定块沿所述分度台的径向平移,所述固定块上设置有轴线与所述固定块的移动方向平行的气体接头和/或液体接头,所述固定块上还设置有至少用于供电的插头。

6.根据权利要求5所述的研磨方法,其特征在于:所述气体接头和/或液体接头可沿各自轴向移动地连接在所述固定块上,且所述气体接头和/或液体接头上分别设置有挡板,所述挡板和固定块之间连接弹性件,所述固定块上设置有用于检测所述气体接头和/或液体接头位置的检测传感器,当所述检测传感器检测到所述气...

【专利技术属性】
技术研发人员:粟里王永强邢珂赵锋孙志超
申请(专利权)人:江苏京创先进电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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