一种非晶和晶体WO3双层电致变色薄膜的制备方法技术

技术编号:43865768 阅读:46 留言:0更新日期:2024-12-31 18:52
本发明专利技术涉及一种非晶和晶体WO<subgt;3</subgt;双层电致变色薄膜的制备方法,属于氧化物薄膜技术领域。超声清洗导电玻璃ITO基片,采用射频磁控溅射法制备非晶WO<subgt;3</subgt;薄膜,退火处理得到结晶态的WO<subgt;3</subgt;薄膜<subgt;3</subgt;,继续采用磁控溅射方法制备WO<subgt;3</subgt;薄膜,得到双层薄膜。优点是制备的双层电致变色薄膜既具有晶态WO<subgt;3</subgt;的良好循环稳定性,又具有非晶WO<subgt;3</subgt;大的透过率调制幅度和短的变色响应时间。上层的非晶结构层,有利于缩短薄膜变色的响应时间,同时下层晶态结构层保证了薄膜的循环稳定性,二者的协同作用使该异质结构WO<subgt;3</subgt;兼备了非晶和晶态WO<subgt;3</subgt;的优点,从而展示出优异的电致变色综合性能。同时也研究了晶态和非晶态WO<subgt;3</subgt;材料在电致变色过程中的调控机理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于氧化物薄膜,具体涉及一种非晶和晶体wo3双层电致变色薄膜的制备方法。


技术介绍

1、电致变色智能玻璃,因其具有较大的光学调节范围、制备工艺简单多样、能够主动调节、受环境因素影响小等优点,使其成为目前最可能商业化应用的智能窗潜在材料。在1960 年代中期探索过渡金属氧化物(tmo)中的电致变色现象后,wo3因其光学对比度大、循环稳定性好、颜色变化柔和且易于合成而成为最有吸引力的电致变色材料之一,根据以前的研究,wo3的电致变色性能在很大程度上取决于其晶体结构。非晶态氧化钨 (a-wo3)薄膜具有快速着色或漂白响应和高着色效率,这是由于 [wo6] 八面体在结构中的无序排列为离子传输提供了大量开放的多边形空隙。然而,由于结构松散和化学稳定性低,a-wo3薄膜的电致变色稳定性较差。另一方面,结晶性氧化钨 (c-wo3)薄膜由于晶体中原子的长程有序性、更致密的结构、更强的原子间键合和较低的电解质溶解速率而表现出更高的稳定性。但 c-wo3薄膜着色效率较低,开关速度差。因此,开发兼具快速开关响应和高循环稳定性的wo3电致变色材料变得尤为重要。

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【技术保护点】

1.一种非晶和晶体WO3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,包括下列步骤:

2.根据权利要求1所述的一种非晶和晶体WO3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中切割好的导电玻璃ITO大小是1.0 cm×2.0 cm,清洗时间各10 min~15min。

3.根据权利要求1所述的一种非晶和晶体WO3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中WO3靶材的直径50mm、厚度5mm和纯度99.99%。

4.根据权利要求1或3所述的一种非晶和晶体WO3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中磁控溅射条件是:功率为...

【技术特征摘要】

1.一种非晶和晶体wo3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,包括下列步骤:

2.根据权利要求1所述的一种非晶和晶体wo3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中切割好的导电玻璃ito大小是1.0 cm×2.0 cm,清洗时间各10 min~15min。

3.根据权利要求1所述的一种非晶和晶体wo3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中wo3靶材的直径50mm、厚度5mm和纯度99.99%。

4.根据权利要求1或3所述的一种非晶和晶体wo3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中磁控溅射条件是:功率为90w-110w,氩气与氧气比为100:0-70:30,室温下仓内压强保持为0.8pa-2.0pa,溅射时间为10min-20 min。

5.根据权利要求4所述的一种非晶和晶体wo3双层电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中磁控溅射条件是:溅射功率为100w,氩气与氧气比为90:10,室温下仓内压强保持为1.4 pa,溅射时间为1...

【专利技术属性】
技术研发人员:初学峰杨小天林琨杰迟耀丹赵海阳姚宗辉王超王欢闫兴振郭亮吕卅高寒松杨帆
申请(专利权)人:吉林建筑大学
类型:发明
国别省市:

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