一种通过Flash存储器模拟EEPROM的随机存储方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及一种通过Flash存储器模拟EEPROM的随机存储方法及系统。其方法部分主要包括：预先定义一个EEPROM数据结构，用于模拟实际EEPROM的数据存储；在Flash存储器中划分出若干个Flash块，每个Flash块中划分出若干个EEPROM存储空间，每个EEPROM存储空间均承载一个EEPROM数据结构；当前Flash块中，EEPROM存储空间的数据每一次修改时，将修改后的数据写入当前EEPROM存储空间的下一个EEPROM存储空间；当前Flash块写满时，将修改后的数据写入下一个Flash块的第一个EEPROM存储空间；最后一个Flash块写满时，将修改后的数据写入第一个Flash块的第一个EEPROM存储空间；每次写入时，将当前数据的数据编号加1。本发明专利技术在需要同时设置Flash存储器和EEPROM的场景下，可以省掉EEPROM，为产品节省成本；同时，保证Flash存储器不易损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及软件设计，特别是涉及一种通过flash存储器模拟eeprom的随机存储方法及系统。

技术介绍

1、在现在各种电子设备中，带电可擦可编程只读存储器(electrically erasableprogrammable read only memory，简写为：eeprom)是一种比较常见的非易失性存储器，是一种比较常见的数据存储设备，它的优点是操作简便，不用擦除，并且直接按照字节读写，掉电后，数据不会丢失，是存储少量配置数据的常见装置。但是它也有缺点，首先是存储空间少，大部分都只有几十kbyte的空间，还有一个是写入次数有限制，一般在10万次，超过这个次数就会导致存储器损坏，数据丢失。

2、flash存储器也是电子设备中常见的存储器，在电子设备中一般用来存储固件程序以及日志文件或者大文件数据等等，基本上是电子设备中必不可少的器件，它的优点是储存空间大，一般有几mbyte、几十mbyte以及几百mbyte不等的存储空间，价格也相对便宜，在电子设备中被大量使用。它的缺点是操作稍显麻烦，写入前需要擦除操作，擦除大小也是固定的，适用于块操作方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通过Flash存储器模拟EEPROM的随机存储方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的通过Flash存储器模拟EEPROM的随机存储方法，其特征在于，每次将修改后的数据写入Flash块的第一个EEPROM存储空间前，若待写入Flash块中已有数据，则先将待写入Flash块中的所有数据擦除，再将修改后的数据写入待写入Flash块的第一个EEPROM存储空间。

3.根据权利要求2所述的通过Flash存储器模拟EEPROM的随机存储方法，其特征在于，所述Flash存储器中还划分出一个Flash备份块；在将待写入Flash块中的所有数据擦除前，先将修改后...

【技术特征摘要】

1.一种通过flash存储器模拟eeprom的随机存储方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的通过flash存储器模拟eeprom的随机存储方法，其特征在于，每次将修改后的数据写入flash块的第一个eeprom存储空间前，若待写入flash块中已有数据，则先将待写入flash块中的所有数据擦除，再将修改后的数据写入待写入flash块的第一个eeprom存储空间。

3.根据权利要求2所述的通过flash存储器模拟eeprom的随机存储方法，其特征在于，所述flash存储器中还划分出一个flash备份块；在将待写入flash块中的所有数据擦除前，先将修改后的数据写入flash备份块，再将待写入flash块中的所有数据擦除，最后将修改后的数据写入待写入flash块的第一个eeprom存储空间。

4.根据权利要求1所述的通过flash存储器模拟eeprom的随机存储方法，其特征在于，所述eeprom数据结构包括eeprom data区、当前编号区以及crc区；其中，所述eeprom data区用于模拟存储eeprom数据；所述当前编号区用于存储写入到eeprom data区的当前数据的数据编号；所述crc区用于模拟实际eeprom的crc校验。

5.根据权利要求4所述的通过flash存储器模拟eeprom的随机存储方法，其特征在于，在每一次将数据写入到eeprom存储空间的eeprom data区时，均需对写入eeprom data区的数据进行crc校验。

6.根据权利要求1所述的通过flash存储器模拟eeprom的随机存储方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：江华峰，余春平，夏渊，熊涛，辜勇，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：