具有高电荷传输能力的固态成像设备制造技术

一种包括像素阵列的固态成像设备，其中所述像素阵列(1201)的每个像素包括：光电二极管，用于将电磁辐射转换为电荷；传输栅极器件，用于将所述电荷从所述光电二极管传输到浮置扩散节点，其中所述传输栅极器件包括嵌入在所述像素阵列(1201)中的嵌入部(102)，所述嵌入部(102)面向所述浮置扩散节点的一侧的第一壁和所述嵌入部(102)不面向所述浮置扩散节点的一侧的第二壁具有不同的形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种固态成像设备，尤其是包括具有高电荷传输能力的像素结构的固态成像设备。

技术介绍

1、与固态成像设备相关联的一个重要问题是提高满阱容量，其中满阱容量是存储电荷的容量上限，该电荷是通过将检测到的电磁辐射转换为光电荷而产生的。由于超过满阱容量的电荷不能作为信号被检测到，因此在大量电磁辐射下，满阱容量小会导致低动态范围(dynamic range，dr)和低信噪比(signal-to-noise ratio，snr)。相反，由于检测到的电磁辐射，满阱容量大有助于再现高清图像，从而实现图像的真实还原。因此，总是期望更高的满阱容量。

2、与固态成像设备相关联的另一个重要问题是减小像素尺寸。然而，这也会导致固态成像设备的满阱容量变小。因此，设计了在垂直于固态成像设备的表面的方向上(即在深度方向上)放大光电二极管，以提高满阱容量，同时减小像素尺寸。为了实现高电荷传输能力以传输存储在这种深光电二极管中的所有电荷，已经提出了垂直传输栅极(verticaltransfer gate，vtg)，该vtg具有在深度方向上延伸的结构，而不是设置在固态成像设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种固态成像设备，其特征在于，包括像素阵列，其中所述像素阵列的每个像素包括：

2.根据权利要求1所述的固态成像设备，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的固态成像设备，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的固态成像设备，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的固态成像设备，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的固态成像设备，其特征在于，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区与所述传输栅极器件自对准。

7.根据权利要求6所述的固态成像设备，其特征在于，所述嵌入部和像素器件之间的P型阱比所述嵌入部和所述浮置扩散节点之间的P型阱...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种固态成像设备，其特征在于，包括像素阵列，其中所述像素阵列的每个像素包括：

2.根据权利要求1所述的固态成像设备，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的固态成像设备，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的固态成像设备，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的固态成像设备，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的固态成像设备，其特征在于，所述p型掺杂区和所述n型掺杂区与所述传输栅极器件自对准。

7.根据权利要求6所述的固态成像设备，其特征在于，所述嵌入部和像素器件之间的p型阱比所述嵌入部和所述浮置扩散节点之间的p型阱深。

8.根据权利要求7所述的固态成像设备，其特征在于，所述嵌入部的平行于所述像素阵列的所述表面的截面是多边形或曲线的组合。

9.根据权利要求8所述的固态成像设备，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的固态成像设备，其特征在于，所述像素阵列包括像素单元，所述像素单元包括耦合到所述同一浮置扩散节点的4个像素，所述像素单元中包括的所述嵌入部设置为环形。

11.根据权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥诚司，夏爱华，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：