【技术实现步骤摘要】
本公开涉及数据存储，尤其涉及一种异常掉电时的命令处理及异常掉电后恢复上电的处理方法。
技术介绍
1、固态硬盘(ssd)遇到异常掉电时，由于电容限制，无法将正在处理的用户写数据全部写入三层式储存(three level cell，tlc)中。需要将正在处理/未处理的用户写数据存入速度更快的单层式储存(single level cell，slc)空间中保存，在上电时将这些数据与l2p映射表进行恢复，但是slc的存储容量有限，通常只有比较小的容量。当固态硬盘上电恢复后，为了能够响应来着主机的命令，需要重新简历映射表并且恢复掉电时保存的数据信息。
2、相关技术中，由于写命令与写命令之间可能存在着顺序或是依赖关系，因此在ssd异常掉电后再次上电恢复的过程中，可能会出现保存的数据较多，需要占用更多的slc存储空间的问题，也导致上电进行数据恢复时效率较慢，上电时命令恢复不准确。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本公开提供了一种异常掉电时的命令处理及异常掉电后恢复上电的处理方法。>
2、第一方面本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种异常掉电时的命令处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述关键数据结构包括逻辑地址、缓冲区地址和更新位图，其中逻辑地址为写命令对应的逻辑地址，缓冲区地址为写命令要写的数据存储缓冲区的地址，更新位图中表示写命令需要存储空间的比特位。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对不同阶段的多个写命令进行信息提取处理，得到对应的多个关键数据结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述针对多个所述新鲜命令进...
【技术特征摘要】
1.一种异常掉电时的命令处理方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述关键数据结构包括逻辑地址、缓冲区地址和更新位图，其中逻辑地址为写命令对应的逻辑地址，缓冲区地址为写命令要写的数据存储缓冲区的地址，更新位图中表示写命令需要存储空间的比特位。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对不同阶段的多个写命令进行信息提取处理，得到对应的多个关键数据结构，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述针对多个所述新鲜命令...
【专利技术属性】
技术研发人员：张志青，秦汉张，孙宝勇，徐凯，袁戎，
申请(专利权)人：北京忆恒创源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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