一种像素结构制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构，包括光电二极管、传输晶体管、复位晶体管及调节栅，其中，传输晶体管的源极端连接光电二极管的N型掺杂区，调节栅位于光电二极管上方，调节栅包括多个子栅区，多个子栅区在传输晶体管指向光电二极管的方向上依次排列以在像素曝光期间使光电二极管靠近传输晶体管的一侧的电势高于光电二极管远离传输晶体管的一侧的电势。本发明专利技术的像素结构在光电二极管的掺杂区域上方添加调节栅，通过该调节栅在光电二极管区域顶部制造局部的高电势区域，进而改变光电二极管区域内光生电荷的分布，使光生电荷聚集在光电二极管区域内靠近传输栅的一侧，能够缩短光生电荷的传输路径，减少传输时间，从而等效提高像素的电荷传输速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于图像传感器，涉及一种像素结构。

技术介绍

1、图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号的功能器件。其中，图像传感器包括cmos(complementary metaloxide semiconductor，互补型金属氧化物半导体)图像传感器和ccd(charged coupleddevice，电荷耦合器件)图像传感器两种类型，可广泛地应用于数码相机、移动手机、医疗器械、汽车和其他应用场合。

2、ccd图像传感器与cmos图像传感器在不同的应用场景下各有优势，但随着制造cmos图像传感器工艺和技术的快速发展与不断提升，以及高端cmos价格的不断下降，cmos占据越来越重要的地位，人们对cmos图像传感器的图像品质的输出有了更高的要求。

3、在cmos图像传感器中，设置有感光像素阵列，用来采集图像的光电信号信息，外界的光照射在像素阵列上，会发生光电效应，在像素单元内产生相应的电荷，以进行图像信号的采集。

4、传统像素结构在进行曝光过程时，光生电荷被收集并遍布在光电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：多个所述子栅区相互接合为一体，对于任意相邻设置的两个所述子栅区，靠近所述传输晶体管的一个所述子栅区的掺杂浓度高于远离所述传输晶体管的一个所述子栅区的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述调节栅在水平面上的垂直投影面积与所述N型掺杂区在水平面上的垂直投影面积的比值大于0.7。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：多个所述子栅区分立设置。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于：对于任意相邻设置的两个所述子栅区，在像素曝光...

【技术特征摘要】

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：多个所述子栅区相互接合为一体，对于任意相邻设置的两个所述子栅区，靠近所述传输晶体管的一个所述子栅区的掺杂浓度高于远离所述传输晶体管的一个所述子栅区的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述调节栅在水平面上的垂直投影面积与所述n型掺杂区在水平面上的垂直投影面积的比值大于0.7。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：多个所述子栅区分立设置。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于：对于任意相邻设置的两个所述子栅区，在像素曝光期间，靠近所述传输晶体管的一个所述子栅区所接电压高于远离所述传输晶体管的一个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜雅娟，王倩，王倩，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：