【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及用于晶圆的激光打标方法及晶圆。
技术介绍
1、晶圆由于具有良好的电子迁移率、导热性以及可控的掺杂特性，因而成为制造半导体器件的基础材料。通常，在晶圆的制造过程中会通过特定的方式在晶圆的背面打印特定的信息，以便于跟踪、控制和验证晶圆的来源，该特定的方式包括激光打标的方式。
2、目前，在晶圆的背面进行激光打标时，每个字符通常由多个字符坑按照特定阵列排布所组成来实现，而由于激光的照射会在每个字符坑的外周形成隆起部，尽管在激光打标之后会对晶圆实施刻蚀处理以去除上述的隆起部，但是对刻蚀处理后的晶圆再实施双面抛光处理之后发现字符坑的外周仍然存在隆起部，这些隆起部造成晶圆的平坦度下降。
3、有鉴于此，如何提供一种在激光打标之后上述字符坑的外周不会出现隆起部的激光打标方法是目前亟需解决的。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供用于晶圆的激光打标方法及晶圆；能够制造得到激光打标的字符中的字符坑的外周没有隆起部的晶圆，提高了晶圆的平坦度。
2、本本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述激光打标方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述在所述晶圆的背面上形成凹槽包括：
3.根据权利要求2所述的用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述氧化处理通过利用激光对所述待形成所述凹槽的区域进行加热来实现，其中，所述激光的能量密度为1×102W/cm2至1×103W/cm2。
4.根据权利要求2所述的用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述第二刻蚀处理为酸性刻蚀处理。
5.根据权利要求4所述的用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述激光打标方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述在所述晶圆的背面上形成凹槽包括：
3.根据权利要求2所述的用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述氧化处理通过利用激光对所述待形成所述凹槽的区域进行加热来实现，其中，所述激光的能量密度为1×102w/cm2至1×103w/cm2。
4.根据权利要求2所述的用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述第二刻蚀处理为酸性刻蚀处理。
5.根据权利要求4所述的用于晶圆的激光打标方法，其特征在于，所述第二刻蚀处理的刻蚀溶液为hf溶液或者缓冲氧化物刻蚀溶液，其中，所述hf溶液或者所述缓冲氧化物刻蚀溶液中的hf溶液的浓度为45%至49%，并且所述第二刻蚀处理的持续时间为190s至550s。
6.根据权利要求1所述的用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾磊，权朝阳，王明，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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