SRAM增强型测试方法、装置、计算机设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了SRAM增强型测试方法、装置、计算机设备及存储介质，方法包括：在CP/FT测试阶段对芯片执行第一轮的mbist测试，第一轮的mbist测试通过测试机台启动；若芯片第一轮的mbist测试通过，对芯片执行产品功能测试阶段的测试；在芯片执行产品功能测试阶段过程中判断芯片的CPU是否能够正常响应；若CPU能够正常响应，则对芯片执行第二轮的mbist测试；若芯片第二轮的mbist测试不通过，则对芯片执行终极的极限mbist测试；若CPU不能够正常响应，则对芯片执行第三轮的mbist测试，若芯片第三轮的mbist测试不通过，则对芯片执行终极的极限mbist测试。本发明专利技术通过在实际系统环境中多种方式启动mbist测试，不依赖机台，从而提高了产品的可靠性，并指导后续的量产测试标准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据存储，更具体地说是sram增强型测试方法、装置、计算机设备及存储介质。

技术介绍

1、ssd-solid state drives(固态硬盘)soc芯片,一般采用传统的sram测试方法，使用专门的测试设备通过jtag接口进行mbist测试，这在芯片的晶圆和封装阶段(cp/ft)都能进行，然而，到了产品化阶段(slt)，环境的变化(如电压和温度)可能导致一些内存问题，这些问题在cp/ft阶段可能并未被发现。这种情况下，无法明确这些问题是否是由于memory本身的良率导致的，也无法指导后续的芯片量产测试是否需要加严测试标准。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供sram增强型测试方法、装置、计算机设备及存储介质。

2、为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：

3、第一方面，本专利技术提供了sram增强型测试方法，包括：

4、在cp/ft测试阶段对芯片执行第一轮的mbist测试，第一轮的mbist测试通过测试机台启动；

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【技术保护点】

1.SRAM增强型测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的SRAM增强型测试方法，其特征在于，所述对芯片执行第二轮的mbist测试，包括：

3.根据权利要求1所述的SRAM增强型测试方法，其特征在于，所述对芯片执行第三轮的mbist测试，包括：

4.根据权利要求1所述的SRAM增强型测试方法，其特征在于，所述对芯片执行终极的极限mbist测试，包括：

5.SRAM增强型测试装置，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的SRAM增强型测试装置，其特征在于，所述第三测试单元包括：

7.根据权利要求5所述...

【技术特征摘要】

1.sram增强型测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的sram增强型测试方法，其特征在于，所述对芯片执行第二轮的mbist测试，包括：

3.根据权利要求1所述的sram增强型测试方法，其特征在于，所述对芯片执行第三轮的mbist测试，包括：

4.根据权利要求1所述的sram增强型测试方法，其特征在于，所述对芯片执行终极的极限mbist测试，包括：

5.sram增强型测试装置，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的sram增强型测试装置，其特征在于，所述第三测试单元包括：

7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李湘锦，王永亮，
申请(专利权)人：苏州忆联信息系统有限公司，
类型：发明
国别省市：