【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体，尤其涉及一种半导体工艺装置及半导体镀膜设备。
技术介绍
1、ticl4(四氯化钛)是采用cvd/ald法生成tin(氮化钛)的重要原料，但是在反应后，晶圆表面会有少量的ticl4残留及其他副产物残留(如未完全反应的产物ticlx)。
2、晶圆表面的ticl4残留在进入到下一步w cvd工艺时，高温挥发后会与其他副产物(如f离子)生成一种白色晶体tifx物质，这种物质会黏附在喷淋头表面，并且采用一般的清洗方式如nf3等离子体清洗不能清除这种物质。而这种tifx物质在长时间积累后，会产生微尘粒子掉落在晶圆表面，或掉落在加热器表面而导致晶圆卡盘异常，进而缩短设备的保养周期，增加预防性维护次数，导致设备运行时间缩短，影响生产效率。并且，这种白色晶体tifx物质在大气中会氧化变成蓝色，在采用液式清洗方式来清洗设备时，极易堵住喷淋头的孔洞，导致后续的喷淋处理异常，进一步影响产品生产。
3、若是上面的ticl4等副产物仍残留在晶圆表面，未能被有效地去除，在晶圆在进入设备的工艺室进行处理时，还会增加其他副产物的...
【技术保护点】
1.一种半导体工艺装置，安装于半导体镀膜设备的工艺室之前，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置还包括可升降地设于所述壳体上并位于所述腔体内的基座，所述加热部设于所述基座内，晶圆承载于所述基座上。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述基座包括：
5.根据权利要求3所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述惰性气体入口设于所述壳体的顶部，所述气体出口设于所述壳体的底部。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺装置，安装于半导体镀膜设备的工艺室之前，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置还包括可升降地设于所述壳体上并位于所述腔体内的基座，所述加热部设于所述基座内，晶圆承载于所述基座上。
4.根据权利要求3所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述基座包括：
5.根据权利要求3所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述惰性气体入口设于所述壳体的顶部，所述气体出口设于所述壳体的底部。
6.根据权利要求5所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体工艺装置，其特征在于，多个所述喷孔的出气方向朝向所述基座。
8.根据权利要求7所述的半导体工艺装置，其特征在于，处于所述喷头最外围的多个所述喷孔围成的出气面朝所述基座方向的投影覆盖所述基座。
9.根据权利要求5至8任一项所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体镀膜设备包括用于将晶圆移送至镀膜处理的晶圆转移室，所述半导体工艺装置设于所述晶圆转移室的一侧。
10.根据权利要求3所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述惰性气体入口包括设于所述壳体顶部的第一气体入口及设于所述壳体侧边的第二气体入口，所述气体出口设于所述壳体的底部。
11.根据权利要求10所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体工艺装置，其特征在于，多个所述第一喷孔的出气方向及多个所述第二喷孔的出气方向均朝向所述基座。
13.根据权利要求12所述的半导体工艺装置，其特征在于，处于所述第一喷头最外围的多个所述第一喷孔围成的出气面朝所述基座方向的投影覆盖所述基座；
14.根据权利要求10至13任一项所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体镀膜设备包括用于将晶圆移送至真空环境的晶圆装载室，所述半导体工艺装置设于所述晶圆装载室内。
15.根据权利要求1所述的半导体工艺装置，其特征在于，所述半导体工艺装置还包括设于所述壳体上并位于所述腔体内的基座，所述加热部设于所述基座内，晶圆承载于所述基座上。
16.根据权利要求15所述的半导体工艺装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，
申请(专利权)人：深圳市章阁仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：
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