【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及rc igbt的实施例，并且涉及操作半桥电路的实施例。
技术介绍
1、汽车、消费和工业应用中的现代装置的许多功能(诸如，转换电能和驱动电动机或电力机器)依赖于功率半导体装置。例如，绝缘栅双极晶体管(igbt)、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和二极管(举几个例子)已被用于各种应用，所述应用包括但不限于电源和功率转换器中的开关。
2、功率半导体装置通常包括半导体主体，所述半导体主体被配置为沿着装置的两个负载端子之间的负载电流路径传导正向负载电流。通常，借助于功率半导体装置的有源区来传导负载电流。有源区通常被边缘终止区包围，所述边缘终止区由芯片的边缘终止。
3、在可控功率半导体装置(例如，晶体管)的情况下，借助于绝缘电极(通常被称为栅电极)可控制负载电流路径。例如，在例如经装置的控制端子从驱动器单元接收到对应控制信号时，控制电极可在正向传导状态和阻断状态中的一种状态下设置功率半导体装置。
4、另外，一些装置提供反向负载电流能力；即，半导体主体的有源区还被配置为沿着装置的两个负载端子...
【技术保护点】
1.一种RCIGBT(1)，在单个芯片中包括有源区(1-2)，所述有源区(1-2)被配置为在所述RCIGBT(1)的半导体主体(10)的前侧(110)的第一负载端子(11)和在所述半导体主体(10)的后侧(120)的第二负载端子(12)之间既传导正向负载电流又传导反向负载电流，其中所述有源区(1-2)被分离成至少：
2.如权利要求1所述的RCIGBT(1)，其中所述第二控制信号(13-22)不同于所述第一控制信号(13-21)。
3.如权利要求1或2所述的RCIGBT(1)，其中所述仅IGBT区(1-21)和所述RCIGBT区(1-22)等于所...
【技术特征摘要】
1.一种rcigbt(1)，在单个芯片中包括有源区(1-2)，所述有源区(1-2)被配置为在所述rcigbt(1)的半导体主体(10)的前侧(110)的第一负载端子(11)和在所述半导体主体(10)的后侧(120)的第二负载端子(12)之间既传导正向负载电流又传导反向负载电流，其中所述有源区(1-2)被分离成至少：
2.如权利要求1所述的rcigbt(1)，其中所述第二控制信号(13-22)不同于所述第一控制信号(13-21)。
3.如权利要求1或2所述的rcigbt(1)，其中所述仅igbt区(1-21)和所述rcigbt区(1-22)等于所述有源区(1-2)的至少80％。
4.如前面权利要求中一项或多项所述的rcigbt(1)，其中所述仅igbt区(1-21)在空间上与所述rc igbt区(1-22)分离，并且可选地，其中：
5.如前面权利要求中一项或多项所述的rcigbt(1)，还包括：
6.如前面权利要求中一项或多项所述的rcigbt(1)，还包括：第一导电型的漂移区(100)，位于所述半导体主体(10)中，其中所述漂移区(100)由所述仅igbt区(1-21)、所述rcigbt区(1-22)中的每一个并且如果所述仅二极管区(1-23)被实现的话则由所述仅二极管区(1-23)共享。
7.如权利要求6所述的rcigbt(1)，还包括：后侧发射极(108)，耦合到所述漂移区(100)，与所述第二负载端子(12)处于电气连接，其中根据所述有源区(1-2)被分离成至少所述仅igbt区(1-21)和所述rc igbt区(1-22)以及如果所述仅二极管区(1-23)被实现的话则所述仅二极管区(1-23)，所述后侧发射极(108)被配置。
8.如权利要求7所述的rcigbt(1)，其中所述后侧发射极(108)配置有：
9.如权利要求8所述的rcigbt(1)，其中所述后侧发射极(108)的所述第一区段(108-21)针对其沿着第一侧向方向(x)的总侧向延伸部并且在某个垂直水平表现出至少1*1013cm-3的平均掺杂物浓度，并且其中所述第一区段(108-21)相对于所述rcigbt区(1-22)移位所述漂移区(100)的厚度的至少20％的第一距离(d1)。
10.如权利要求5和权利要求8或9所述的rcigbt(1)，其中所述后侧发射极(108)的所述第二区段(108-22)的所述第一子区段(108-221)中的每个第一子区段(108-221)针对其沿着所述第一侧向方向(x)...
【专利技术属性】
技术研发人员：HG·埃克尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。