【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片测试的，尤其是涉及一种转盘式高温测试机构的区间温度控制方法及系统。
技术介绍
1、芯片测试是芯片封装后打包出厂售卖前的最后一个环节，每个芯片都需要经过转盘式高温测试机构的测试才能够打包出厂售卖。芯片在芯片测试站进行测试前需要经过加热盘，加热盘对芯片的温度进行调节，让芯片从加热盘出来后至小轨道上测试时处于合适的温度范围；在小轨道中从前到后，随着小轨道距离的长度和小轨道上接触点的数量增加，芯片的温度是逐渐降低的。原测温点在测试站前一站，芯片转到测试站时的温度，相对于测试站前一站测试的温度会下降，但不能确定温度会下降到什么程度，是否会超出要求的温度范围，因此，芯片测试的准确度有待提升。
技术实现思路
1、为了确保温度位于测试位置时，处于设定的温度范围内，以提高芯片测试的准确度，本申请提供一种转盘式高温测试机构的区间温度控制方法及系统。
2、第一方面，本申请提供一种转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，采用如下的技术方案：
3、一种转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，包括如下步骤：
4、获取位于芯片测试站前第一设定距离处第一测温点的第一温度值；
5、获取位于芯片测试站后第二设定距离处第二测温点的第二温度值；
6、判断所述第二温度值是否低于设定的第一温度阈值，若所述第二温度值低于设定的第一温度阈值，则判断芯片测试站当前的测试为无效测试，进行预警；
7、若所述第二温度值不低于设定的第一温度阈值，计算所述第一
8、若所述第一温度差值大于设定阈值，则判断为芯片测试站当前的测试为有效测试；
9、若所述第一温度差值小于等于所述设定阈值，则判断芯片测试站当前的测试为无效测试，进行预警；
10、计算所述第一温度差值在第一设定时间段内的第一平均值；如果所述第一平均值超过设定第一平均阈值，则根据所述第一平均值调节加热盘的加热温度；所述第一平均值越大，所述加热盘的加热温度增加的温度越多；所述第一平均值越小，所述加热盘的加热温度增加的温度越少。
11、通过采用上述技术方案，在芯片测试站后增加一个第二测温点，无论中间经过几个测试站，只要位于后端的第二测温点显示的数据满足温度要求，即可判断在芯片测试站的温度位于温度范围内。由于芯片在输送的过程中温度是下降的趋势，因此通过监控最低的温度值，建立一个温度区间控制的值，使得前后温度都处于可控状态，从而提高芯片测试的准确度。此外，为了更加精确的判断芯片的温度，或者温度的变化趋势，还增加了对温度差值的监测，以及温度差值的平均值的监测，从而能够对加热盘做出及时的调整，以免频发预警。因此，不仅能够保证测试结果的准确性，还有利于合理控制芯片的温度，降低发生预警的概率，提高芯片检测的效率。
12、可选地，若所述第二温度值不低于设定的第一温度阈值，方法还包括：
13、判断所述第二温度值是否高于设定的第二温度阈值，若所述第二温度值高于设定的第二温度阈值，则进行预警；
14、若所述第二温度值不高于设定的第二温度阈值，计算所述第二温度值在第二设定时间段内的第二平均值；如果所述第二平均值小于设定的第二平均阈值，则根据所述第二平均值调节位于芯片测试站前设定距离处热源的流量；所述第二平均值越小，所述热源的流量越大；所述第二平均值越大，所述热源的流量越小。
15、通过采用上述技术方案，本专利技术不仅能够在芯片温度过低或过高时及时进行预警，还能根据温度变化的速度和趋势动态调节热源的流量，从而实现对芯片温度的更加精确和实时的控制。这进一步提高了芯片测试的准确性和可靠性，降低了因温度波动而导致的测试误差，同时也为芯片的后续处理和封装提供了更加稳定的温度环境。
16、可选地，若所述第二温度值不低于设定的第一温度阈值，方法还包括：
17、判断所述第二温度值是否高于设定的第二温度阈值，若所述第二温度值高于设定的第二温度阈值，则进行预警；
18、若所述第二温度值不高于设定的第二温度阈值，计算所述第二温度值在第二设定时间段内的第二平均值；如果所述第二平均值大于设定的第二平均阈值，则根据所述第二平均值调节位于芯片测试站前设定距离处热源的温度；所述第二平均值越小，所述热源的温度越高；所述第二平均值越大，所述热源的温度越低。
19、通过采用上述技术方案，不仅能够在芯片温度过高时及时预警，还能根据温度变化的速度和趋势动态调节热源的温度，从而实现对芯片温度的更加精确和实时的控制。进一步提高了芯片测试的准确性和可靠性，降低了因温度波动而导致的测试误差，同时也为芯片的后续处理和封装提供了更加稳定的温度环境。
20、可选地，如果所述第一平均值超过设定第一平均阈值，方法还包括：
21、根据第一温度差值调节转盘式高温测试机构加热盘压接芯片的压力大小，所述第一温度差值越大，所述压力越大；所述第一温度差值越小，所述压力越小；所述压力位于设定范围内。
22、通过采用上述技术方案，由于芯片一般是方形片状的结构，通过调节加热盘压接芯片的压力，提高了芯片和圆盘的连接紧密度，从而增大了芯片与圆盘的接触面积，提高了导热效果，使得芯片能够更快地达到测试所需的温度，提高了测试效率和质量。
23、可选地，如果所述第一平均值超过设定第一平均阈值，方法还包括：
24、根据第一温度差值调节压接芯片所在的加热盘的转动速度；所述第一温度差值越大，所述转动速度越慢；所述第一温度差值越小，所述转动速度越快。
25、通过采用上述技术方案，通过调节加热盘的转动速度，不仅影响了芯片在加热盘上的停留时间和热交换效率，还有助于实现更均匀的温度分布，提高了测试的可靠性和效率。
26、可选地，所述热源通过转动驱动结构安装至芯片测试站前设定距离处；
27、若所述第二温度值低于设定的第一温度阈值，方法还包括：
28、计算所述第二温度值在第三设定时间段内的第三平均值；
29、获取待测芯片在转盘式高温测试机构小轨道上输送的预设方向；
30、获取转动驱动结构驱动所述热源朝向的吹风方向；
31、计算所述预设方向与所述吹风方向的吹风夹角；
32、根据所述第三平均值调节所述驱动结构的转动角度，以调节所述吹风夹角的大小；所述第三平均值越大，所述吹风夹角越大；所述第三平均值越小，所述吹风夹角越小。
33、通过采用上述技术方案，通过调节热源的吹风夹角，不仅影响了热源对芯片的加热效果，还有助于实现更均匀的温度分布，提高了测试的可靠性和效率。
34、可选地，若所述第二温度值高于设定的第二温度阈值，或者，若所述第一温度差值小于等于所述设定阈值，方法还包括：
35、计算所述第二温度值与所述第二温度阈值的差值为第二温度差值；
36、根据所述第二温度差值调节设于所述芯片测试站前设本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，若所述第二温度值不低于设定的第一温度阈值，方法还包括：
3.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，若所述第二温度值不低于设定的第一温度阈值，方法还包括：
4.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，如果所述第一平均值超过设定第一平均阈值，方法还包括：
5.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，如果所述第一平均值超过设定第一平均阈值，方法还包括：
6.根据权利要求3所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，所述热源通过转动驱动结构安装至芯片测试站(1)前设定距离处；
7.根据权利要求6所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，若所述第二温度值高于设定的第二温度阈值，或者，若所述第一温度差值小于等于所述设定阈值，方法还包括：
8.根据权
9.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，转盘式高温测试机构小轨道(4)上设置有保温罩，待测芯片置于所述保温罩内。
10.一种转盘式高温测试机构的区间温度控制系统，其特征在于，包括处理器，所述处理器中执行如权利要求1-8中任意一项所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，若所述第二温度值不低于设定的第一温度阈值，方法还包括：
3.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，若所述第二温度值不低于设定的第一温度阈值，方法还包括：
4.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，如果所述第一平均值超过设定第一平均阈值，方法还包括：
5.根据权利要求1所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，如果所述第一平均值超过设定第一平均阈值，方法还包括：
6.根据权利要求3所述的转盘式高温测试机构的区间温度控制方法，其特征在于，所述热...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓玲，艾兵，张烨超，
申请(专利权)人：上海赢朔电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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