【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外光学成像，具体涉及一种低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统。
技术介绍
1、随着红外成像技术的飞速发展，以及日益增长的远距离观测任务，如目标跟踪、摄影和安全监测等，国内外陆续开展了大变倍比红外变焦系统的研究，各式各样的红外变焦系统相继问世，广泛应用于军事和民用等领域。在对机载光电系统的体积，重量有着苛刻要求的今天，光学镜头的简洁化，轻量化成为至关重要的技术难题。
2、但现有技术公开的变倍比为30倍或以上的制冷型中波红外连续变焦系统，在不通过光路折转的情况下，为实现长焦距变焦，总长通常会处于650mm到750mm这个区间，无法满足在狭小空间内作业的需求，并且只要系统涉及到大变倍比、长焦距变焦、极短总长这三种要素其公差敏感度必然较高，从而致使工程应用的难度更大，因此开发一种低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统显得格外重要。
3、中国专利公开号为“cn117784381a”，专利名称为“高变倍比中波制冷连续变焦光学系统”，该系统该光学系统包括依次共轴排列的前固定组、变倍组、第一补偿组、...
【技术保护点】
1.低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统，其特征是，该系统沿光轴方向共轴设置前固定组(1)、变倍组(2)、补偿组(3)、后固定组(4)、二次成像组(5)和中波制冷探测器(6)；
2.根据权利要求1所述的低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统，其特征在于，所述双凹形单晶锗透镜(21)和双凸形单晶硅透镜(31)两片透镜位置能移动，通过双组联动实现连续变焦。
3.根据权利要求1所述的低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统，其特征在于，所述前固定组(1)中双弯月形单晶硅透镜(11)前后表面S1、S2均为球面；双弯月形单晶锗透镜(12...
【技术特征摘要】
1.低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统，其特征是，该系统沿光轴方向共轴设置前固定组(1)、变倍组(2)、补偿组(3)、后固定组(4)、二次成像组(5)和中波制冷探测器(6)；
2.根据权利要求1所述的低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统，其特征在于，所述双凹形单晶锗透镜(21)和双凸形单晶硅透镜(31)两片透镜位置能移动，通过双组联动实现连续变焦。
3.根据权利要求1所述的低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统，其特征在于，所述前固定组(1)中双弯月形单晶硅透镜(11)前后表面s1、s2均为球面；双弯月形单晶锗透镜(12)前表面s3为球面，后表面s4为非球面。
4.根据权利要求1所述的低敏感度的长焦距极短总长中波红外变焦光学系统，其特征在于，所述变倍组(2)的双凹形单晶锗透镜(21)前表面s5为球...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡源，李雨哲，霍家琦，高天元，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。