【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，特别是涉及一种半导体设备安全控制方法，及实现该方法的安全控制系统或控制设备。
技术介绍
1、化学薄膜沉积设备、热处理设备或刻蚀设备等半导体设备在工作时，安全性至关重要，否则会造成衬底的损坏或其他严重的生产事故。因此如何确保半导体设备操作的安全性与可靠性为业界面临的一重要的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体设备安全控制方法以提高半导体设备运行的安全性与可靠性。
2、一种半导体设备安全控制方法，包括以下步骤：
3、s1输入要求半导体设备执行相关动作的指令；
4、s2根据所述指令调取与之对应执行机构的禁止条件；
5、s3检测半导体设备的实时工作参数，获得侦测值；
6、s4将所述侦测值和禁止条件进行对比分析，判断是否启动执行机构；
7、其中，所述禁止条件具有扫描周期，根据所述扫描周期取得所述侦测值，将所述侦测值和禁止条件进行对比分析时，对最长扫...
【技术保护点】
1.一种半导体设备安全控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体设备安全控制方法，其特征在于，所述禁止条件包括红外光接收器的输出值为0、接近传感器的输出值为0、旋转传感器的输出值为0、温度传感器的输出值不在设定的温度范围内、真空检测器的输出值不是设定的压力值。
3.根据权利要求2所述的半导体设备安全控制方法，其特征在于，所述侦测值包括T、Pv、A、B和C；
4.根据权利要求3所述的半导体设备安全控制方法，其特征在于，所述判断是否启动执行机构的方法如下：
5.一种安全控制系统，其采用如权利要求1至...
【技术特征摘要】
1.一种半导体设备安全控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体设备安全控制方法，其特征在于，所述禁止条件包括红外光接收器的输出值为0、接近传感器的输出值为0、旋转传感器的输出值为0、温度传感器的输出值不在设定的温度范围内、真空检测器的输出值不是设定的压力值。
3.根据权利要求2所述的半导体设备安全控制方法，其特征在于，所述侦测值包括t、pv、a、b和c；
4.根据权利要求3所述的半导体设备安全控制方法，其特征在于，所述判断是否启动执行机构的方法如下：
5.一种安全控制系统，其采用如权利要求1至4中任意一项所述的半导体设备安全控制方法，实现根据禁止条件的判断结果来控制半导体设备运行的目的，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的安全控制系...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑国，李培祥，
申请(专利权)人：上海衍梓智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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