【技术实现步骤摘要】
本技术涉及破真空设备，具体为一种用于真空反应设备的破真空装置。
技术介绍
1、真空反应设备被广泛应用于多个领域，例如半导体芯片加工，光学镀膜等。以半导体芯片加工为例，很多芯片制造工艺流程需要在低压(真空)反应室内完成，例如：离子注入、lpcvd(低压力化学气相沉积法)、蒸发和溅射工艺等。离子注入是在真空系统中向晶圆中注入掺杂离子，同时使用高分辨率的质量分析器，保证掺杂离子具有极高的纯度。在离子注入过程完毕后，需要通过进气口向真空反应设备中吹入气体，使得内外气压达到一致之后才可以取出晶圆，这就是破真空的过程。在这个过程中，理想状态下进气速度越快越好，这样可以提高芯片制造效率。但实际上进气速度不能过快，因为真空反应设备长期使用导致其内壁附着较多杂质，进气速度过快会导致将真空反应设备中的杂质吹落在晶圆上，导致晶圆被污染，因此破真空通常需要几个小时的时间，这制约了芯片加工的效率，提高了加工成本。
2、现有的破真空装置在使用时，布气管的内孔直径为固定，不能根据布气的需求进行调节，进而使得进气速度得不到精准调节，影响破真空效果，同时，现...
【技术保护点】
1.一种用于真空反应设备的破真空装置，包括进气箱(1)，进气箱(1)一侧面设置有进气管(2)，其特征在于：所述进气箱(1)远离进气管(2)的另一侧面布设有布气管(6)，布气管(6)与进气箱(1)连接位置内侧设置有充气橡胶环(5)，布气管(6)外环侧设置有与布气管(6)内部相通的布气环(7)，布气环(7)侧面上设置有布气孔(8)，充气橡胶环(5)上连接有分气管(4)，分气管(4)与进气箱(1)内侧面通过管箍连接，分气管(4)下侧设置有充气管(3)。
2.根据权利要求1所述的一种用于真空反应设备的破真空装置，其特征在于：所述布气环(7)进一步包括有位于中间的第...
【技术特征摘要】
1.一种用于真空反应设备的破真空装置，包括进气箱(1)，进气箱(1)一侧面设置有进气管(2)，其特征在于：所述进气箱(1)远离进气管(2)的另一侧面布设有布气管(6)，布气管(6)与进气箱(1)连接位置内侧设置有充气橡胶环(5)，布气管(6)外环侧设置有与布气管(6)内部相通的布气环(7)，布气环(7)侧面上设置有布气孔(8)，充气橡胶环(5)上连接有分气管(4)，分气管(4)与进气箱(1)内侧面通过管箍连接，分气管(4)下侧设置有充气管(3)。
2.根据权利要求1所述的一种用于真空反应设备的破真空装置，其特征在于：所述布气环(7)进一步包括有位于中间的第一布气环(71)和位于前后两侧的第二布气环(72)，两个第二布气环(72)对称设置，相对的一侧开设有布气孔(8)，第一布气环(71)开设有前...
【专利技术属性】
技术研发人员：何进，李春来，魏益群，陈国豪，江国盛，衣法臻，康化宇，徐张伟，
申请(专利权)人：深港产学研基地北京大学香港科技大学深圳研修院，
类型：新型
国别省市：
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