功率器件制造技术

本发明专利技术提供了一种功率器件，功率器件包括：衬板，衬板的上表面具有间隔设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，第二导电层位于第一导电层和第三导电层之间；芯片组件，包括多个第一芯片和多个第二芯片，每个第一芯片的漏极均与第二导电层导电连接，每个第二芯片的漏极均与第三导电层导电连接；第一互连构件，具有导电连接部和多个互连部，导电连接部与第一导电层电连接，多个互连部与多个第一芯片的源极一一对应导电连接；第二互连构件，第二导电层与多个第二芯片的源极通过第二互连构件导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率器件的芯片结温一致性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率器件，具体而言，涉及一种功率器件。

技术介绍

1、功率器件是应用于电力电子领域中，用于控制和转换电能的设备。用于执行整流、逆变、斩波以及变频等电力转换功能。广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、电力系统、储能等领域。

2、在相关技术中，功率器件内部设置有多个桥臂，每个桥臂均具有多个并联设置的功率芯片配合相应的功率端子形成功率电路，不同桥臂的交替导通，以产生所需的输出电压和电流波形。例如，在半桥逆变器中，一个桥臂导通时，另一个桥臂应该处于关断状态，以避免电流直接从电源流回，造成短路。

3、然而，由于每个桥臂均具有多个芯片，使得功率器件内存在芯片布局复杂，其内部芯片往往分布较为集中，且芯片互连方式多为键合线连接，存在芯片结温一致性差的问题。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种功率器件，以解决相关技术中的功率器件的芯片结温一致性差的问题。

2、本专利技术提供了一种功率器件，功率器件包括：衬板，衬板的上表面具有间隔设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括多个电阻（50），所述衬板（10）的上表面还设置有电阻导电层（16），所述第一栅极导电层（14）为多个，多个所述第一栅极导电层（14）分别与多个所述第一芯片（21）的栅极一一对应导电连接，每个所述电阻（50）的两个引脚分别与所述电阻导电层（16）电连接和对应的所述第一栅极导电层（14）电连接。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，多个所述第一芯片（21）沿所述第二导电层（12）的长度方向布置，所述避让镂空区（123）的长度方向平行于所述第二导...

【技术特征摘要】

1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括多个电阻（50），所述衬板（10）的上表面还设置有电阻导电层（16），所述第一栅极导电层（14）为多个，多个所述第一栅极导电层（14）分别与多个所述第一芯片（21）的栅极一一对应导电连接，每个所述电阻（50）的两个引脚分别与所述电阻导电层（16）电连接和对应的所述第一栅极导电层（14）电连接。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，多个所述第一芯片（21）沿所述第二导电层（12）的长度方向布置，所述避让镂空区（123）的长度方向平行于所述第二导电层（12）的长度方向。

4.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第二导电区（122）的宽度小于所述第一导电层（11）的宽度。

5.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述衬板（10）的上表面还设置有第二栅极导电层（17）和第二辅助源极导电层（18），所述第二栅极导电层（17）与所述第二芯片（22）的栅极连接，所述第二辅助源极导电层（18）与所述第二芯片（22）的辅助源极连接，所述第二栅极导电层（17）和所述第二辅助源极导电层（18）均位于所述第三导电层（13）远离所述第二导电层（12）的一侧。

6.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述电阻导电层（16）位于多个所述第一栅极导电层（14）和所述第一辅助源极导电层（15）之间。

7.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一导电层（11）和所述第三导电层（13）共同围成u形结构，所述第二导电层（12）由所述u形结构的开口伸入至所述u形结构内。

8.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的功率器件，其特征在于，多个所述第一芯片（21）与所述第二界面连接层电连接，多个所述第二芯片（22）与所述第三界面连接层电连接，所述导电连接部（31）与所述第一界面连接层电连接，所述第二互连构件（40）与所述第二界面连接层电连接。

10.根据权利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括功率端子（60），所述功率端子（60）包括第一功率端子（61）、第二功率端子（62）以及第三功率端子（63），所述第一功率端子（61）与所述第一端子连接层连接，所述第二功率端子（62）与所述第二端子连接层连接，所述第三功率端子（63）与所述第三端子连接层连接。

11.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一导电层（11）包括相连接且间隔设置的第一互连层（111）和第二互连层（112），所述第一互连层（111）和所述第二互连层（112）导分别与对应的所述第一芯片（21）的源极电连接，所述第二导电层（12）包括相连接且间隔设置的第一中间导电层（124）和第二中间导电层（125），多个所述第一中间导电层（124）和所述第二中间导电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩，赵波，李学宝，郑超，崔翔，赵志斌，
申请(专利权)人：北京怀柔实验室，
类型：发明
国别省市：