一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，步骤1：制备涂覆有金属粉体的透明介质；步骤2：在金属基材表面构建微织构锚点；步骤3：将步骤1得到的涂覆有金属粉体的透明介质施加负压紧贴于步骤2具有微织构锚点的金属基材表面，脉冲激光作用于透明介质上表面，透明介质将金属粉体在脉冲激光作用下产生的等离子体约束在透明介质与金属基材间，借助金属基材的极冷作用，作用结束后移除透明介质，在金属基材表面制得金属薄膜。本发明专利技术制备方法简捷高效、低成本，适用范围广，具有极大的工业应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制备金属薄膜，尤其涉及一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法。

技术介绍

1、为满足特定金属基材在不同工况环境中的可靠使用，可通过在其表面构建一层微米级的具有独特组成、结构和性质的金属薄膜，以赋予其表面所需的物化性能，如较高的强度或硬度，优异的抗高温氧化、耐磨耐腐蚀性、与基体不同的导电性或形状记忆性等功能，从而极大地拓展金属基材在军事、民用等领域的应用范围。

2、目前金属薄膜的制备方法有磁控溅射沉积、真空蒸发镀膜、电化学沉积和热喷涂。

3、磁控溅射沉积的基本原理是在阴极和阳极之间加高电压，利用电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。该种技术的特点是成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好。通过改变工艺参数和目标成分，可以灵活控制薄膜的组成和性能。所制备的金属薄膜成分均匀，密度和性能好，同时沉积速率高，与衬底结合强度好，通过引入反应气体还可获得氮化薄膜。由于是靶材原子受氩离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1，还包括如下步骤：

3.根据权利权利要求2所述一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.1，成膜主剂与固化剂的质量比为10:1-5:1，固化温度25-80℃，固化时间3-8h，熟化温度90℃，熟化时间1h。

4.根据权利权利要求2所述一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.2，金属粉体为50-200μm，涂覆量为1mg/cm2-15mg/cm2。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1，还包括如下步骤：

3.根据权利权利要求2所述一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.1，成膜主剂与固化剂的质量比为10:1-5:1，固化温度25-80℃，固化时间3-8h，熟化温度90℃，熟化时间1h。

4.根据权利权利要求2所述一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤1.2，金属粉体为50-200μm，涂覆量为1mg/cm2-15mg/cm2。

5.根据权利要求1所述一种基于透明介质约束的金属薄膜制备方法，其特征在于，所述透明介质包括高透亚克力膜，改性pe膜或pp膜任一种。

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永彬，叶展鹏，胡殷，杨瑞龙，周师田，王烨，朱康伟，苏悦，陈道明，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院材料研究所，
类型：发明
国别省市：