一种高亮度的LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料的技术领域，公开了一种高亮度的LED芯片及其制备方法，所述高亮度的LED芯片，包括由下至上依次层叠的衬底和外延层，还包括设于所述外延层上的电流阻挡层、电流扩展层、PAD金属电极层和钝化保护层，其中，所述电流阻挡层的表面设置有多个未穿透的凹坑结构。实施本发明专利技术的高亮度的LED芯片，能够减小芯片结构内光的全反射，从而提高光提取效率、增加芯片亮度，而且提高了金属电极的粘附性，提升了电极的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料的，尤其涉及一种高亮度的led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、led具有长寿命、高亮度、广色域等众多优点，因而led芯片在照明、显示领域中发挥着越来越重要的地位。

2、led芯片的亮度和可靠性是两个关键性的性能指标。led芯片亮度提升方法有多种，其中降低芯片结构内全反射、增加光提取率是当前提升芯片亮度最主要的措施之一。led芯片的可靠性包括多个方面，而芯片电极的可靠性就是其中之一，通常来讲，芯片电极的粘附性越好，后期使用中电极掉落的概率越低，则可靠性越高。

3、在led芯片工艺越加成熟的今天，提升亮度和可靠性也越发困难。如何通过工艺技术改进和改进来持续提高上述两项核心指标是目前芯片研发领域中的核心关键之一。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种高亮度的led芯片及其制备方法，可以同时提高led芯片的发光强度和led芯片电极的可靠性。

2、为了解决上述技术问题，本专利技术第一方面提供了一种高亮度的led芯片，包括由下至上依次层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高亮度的LED芯片，包括由下至上依次层叠的衬底和外延层，其特征在于，还包括设于所述外延层上的电流阻挡层、电流扩展层、PAD金属电极层和钝化保护层，其中，所述电流阻挡层的表面设置有多个未穿透的凹坑结构。

2.如权利要求1所述的高亮度的LED芯片，其特征在于，所述外延层包括自下而上依次层叠的N型层、多量子阱层和P型层，所述电流阻挡层设置于所述P型层上；

3.如权利要求1所述的高亮度的LED芯片，其特征在于，多个所述凹坑结构均匀设置，所述凹坑结构的截面形状为圆形；

4.如权利要求1或3所述的高亮度的LED芯片，其特征在于，所述PAD金属电极层包括P金...

【技术特征摘要】

1.一种高亮度的led芯片，包括由下至上依次层叠的衬底和外延层，其特征在于，还包括设于所述外延层上的电流阻挡层、电流扩展层、pad金属电极层和钝化保护层，其中，所述电流阻挡层的表面设置有多个未穿透的凹坑结构。

2.如权利要求1所述的高亮度的led芯片，其特征在于，所述外延层包括自下而上依次层叠的n型层、多量子阱层和p型层，所述电流阻挡层设置于所述p型层上；

3.如权利要求1所述的高亮度的led芯片，其特征在于，多个所述凹坑结构均匀设置，所述凹坑结构的截面形状为圆形；

4.如权利要求1或3所述的高亮度的led芯片，其特征在于，所述pad金属电极层包括p金属电极层和n金属电极层，所述电流阻挡层的形状与所述p金属电极层的形状相同，且所述电流阻挡层的宽度大于所述p金属电极层的宽度；

5.如权利要求2所述的高亮...

【专利技术属性】
技术研发人员：茹浩，鲁洋，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：