【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路生产领域，特别是涉及一种基于图形rc值的光学邻近效应修正再定位方法及装置。
技术介绍
1、目前芯片的物理设计中是不会考虑后续生产制造流程中对版图的改变的，但实际上在生产过程中，工厂会先对原始设计版图做opc（光学邻近效应修正）retarget（再定位）操作，这将会改变原始版图的图形形状以及加入一些额外的辅助图形，从而得到修正后的版图，然后基于这个修正后的版图做下一步的光学补偿优化，最后才会生成掩模版图送到厂房生产。
2、但如上所说，光学邻近效应修正再定位的目的就是对版图中金属层的形状的修改，这样的修改不可避免地导致电路中的rc值也跟着改变，而rc值又与电路时序息息相关。换句话说，金属层的形状如果发生改变，对于电路时序的影响是很直接的，如果金属层的rc值发生较大变化，无论是变大还是变小都可能会导致电路无法正常工作。
3、因此，如何降低光学邻近效应修正再定位过程中对电路时序的影响，避免电路时序改变带来的芯片失效，是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路<...
【技术保护点】
1.一种基于图形RC值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基于图形RC值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，所述原始电路图文件的获取方法，包括：
3.如权利要求1所述的基于图形RC值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，在计算所述变更GDSII文件中各个所述待检电路组件的变更RC值之前，还包括：
4.如权利要求3所述的基于图形RC值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，在将所述变更电路图文件与所述原始电路图文件对比，判断是否存在电路结构差异之后，还包括：
5.如权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种基于图形rc值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基于图形rc值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，所述原始电路图文件的获取方法，包括：
3.如权利要求1所述的基于图形rc值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，在计算所述变更gdsii文件中各个所述待检电路组件的变更rc值之前，还包括：
4.如权利要求3所述的基于图形rc值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，在将所述变更电路图文件与所述原始电路图文件对比，判断是否存在电路结构差异之后，还包括：
5.如权利要求1所述的基于图形rc值的光学邻近效应修正再定位方法，其特征在于，每个所述待检电路组件均相对应有预设的...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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