【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体而言，涉及一种直贴式散热器件、芯片测试装置及方法、封装结构。
技术介绍
1、随着人工智能的发展，芯片的应用越来越广泛，这也不断的对其性能和稳定性也提出了更高的要求。在实际应用中，芯片可能工作于不同的环境温度，因此在出厂前对其进行高低温试验以评估其性能和稳定性是非常必要的。
2、在进行这些试验时，一个关键的问题是如何有效地为芯片散热，以保证其正常工作从而避免其过热损坏。在现有技术中，通常使用散热板为芯片散热，为了降低散热板与芯片之间的热阻，往往还需要使用热界面材料填充二者表面之间的小间隙或缺陷。现有热界面材料的形式多种多样，包括糊剂、液体、薄膜等。热界面材料通常由聚合物基质中的高导热填料组成，一些常见的基质包括硅脂、聚氨酯、丙烯酸等。
3、目前，现有的热界面材料通常采用涂敷或者布设的安装方式设置在散热板与芯片之间，这种安装方式会使得热界面材料的装配和拆卸过程较为复杂，并且会增加整个测试设备的风险点。
技术实现思路
1、本申请的目的在于...
【技术保护点】
1.一种直贴式散热器件，其特征在于，包括相互结合的金属基底和第一金属导热层，所述金属基底和所述第一金属导热层的结合处为原子结合，所述金属基底经所述第一金属导热层贴合至芯片，所述第一金属导热层用于受压形变以填充于所述金属基底和所述芯片之间的空隙。
2.如权利要求1所述的直贴式散热器件，其特征在于，所述金属基底和所述第一金属导热层的结合处为冶金结合。
3.如权利要求1所述的直贴式散热器件，其特征在于，所述金属基底和所述第一金属导热层一体成型。
4.如权利要求1至3任一项所述的直贴式散热器件，其特征在于，所述直贴式散热器件还包括第二金属导...
【技术特征摘要】
1.一种直贴式散热器件，其特征在于，包括相互结合的金属基底和第一金属导热层，所述金属基底和所述第一金属导热层的结合处为原子结合，所述金属基底经所述第一金属导热层贴合至芯片，所述第一金属导热层用于受压形变以填充于所述金属基底和所述芯片之间的空隙。
2.如权利要求1所述的直贴式散热器件，其特征在于，所述金属基底和所述第一金属导热层的结合处为冶金结合。
3.如权利要求1所述的直贴式散热器件，其特征在于，所述金属基底和所述第一金属导热层一体成型。
4.如权利要求1至3任一项所述的直贴式散热器件，其特征在于，所述直贴式散热器件还包括第二金属导热层，所述第二金属导热层与所述第一金属导热层背离所述金属基底的一侧结合，所述第二金属导热层和所述第一金属导热层的结合处为原子结合，所述第二金属导热层的硬度小于所述第一金属导热层的硬度，所述第二金属导热层用于受压形变以填充于所述第一金属导热层和所述芯片之间的空隙。
5.如权利要求4所述的直贴式散热器件，其特征在于，所述第二金属导热层和所述第一金属导热层的结合处为冶...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄波，宋书惠，王倩倩，
申请(专利权)人：深圳淳深科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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