一种增加光罩耐洗度的方法技术

本发明专利技术涉及一种增加光罩耐洗度的方法，其在曝光显影制程以及去光阻制程结束都分别增加了一道氧等离子处理制程，以在图形表面形成氧化保护层，将原本键能较低的MoO<subgt;2</subgt;置换为键能较高的MoO<subgt;3</subgt;，避免钼离子在光罩曝光过程中发生断键迁移并且增加Cr层上氧化保护层，由于氧化保护层的增加，将大幅度提升光罩耐洗度，藉此减少洗净对于光罩尺寸及相位影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光罩，具体是涉及一种增加光罩耐洗度的方法。

技术介绍

1、随着光罩图形设计越来越复杂和精密，为了实现曝光焦深可以让晶圆光阻有效曝开，193nm的曝光波长及arf-psm(phase shift mask)光罩材料也开始被大量的运用。由于曝光波长能量及材料的改变，成长型阴霾(haze)缺陷开始出现并且影响芯片良率，所以芯片厂在发生成长型阴霾缺陷时，会选择将光罩进行送修及洗净，此时光罩的耐洗度成为影响其使用寿命重要的因素。

技术实现思路

1、本专利技术旨在提供一种增加光罩耐洗度的方法，以提高光罩的耐洗度。

2、具体方案如下：

3、一种增加光罩耐洗度的方法，包括以下步骤：

4、s1、提供光罩基板，基板上具有mosi层，mosi层上覆盖有cr层，经图形描画以及曝光显影制程，在基板上形成光罩图形，图形上还覆盖有光阻；

5、s2、利用等离子处理设备对光罩的图形进行氧等离子处理，通过氧等离子处理制程以在光罩图形的侧壁上形成对应mosi层和cr层的氧化层；

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【技术保护点】

1.一种增加光罩耐洗度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中的氧等离子处理制程工艺为：放电功率为200～300W,氧气流量为10～20mL/min、处理时间为20～40min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中的氧等离子处理制程工艺为：放电功率为200～300W,氧气流量为10～20mL/min、处理时间为20～40min。

【技术特征摘要】

1.一种增加光罩耐洗度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s2中的氧等离子处理制程工艺为：放电功率为200～300w,氧气流量为10～20ml/min、...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑智远，黄宇光，黄志贤，
申请(专利权)人：厦门美日丰创光罩有限公司，
类型：发明
国别省市：