一种晶圆光电化学机械抛光装置、方法及控制器制造方法及图纸

本申请适用于半导体超精密加工技术领域，提供了一种晶圆光电化学机械抛光装置、方法及控制器；该装置包括传输模组、清洗模组和抛光模组；传输模组包括晶圆承载盒、机械手；清洗模组包括X侧、Y侧清洗模组和晶圆传输站；X侧、Y侧清洗模组各包括一组清洗干燥模块和组合机械手；抛光模组包括X侧、Y侧光电化学机械抛光模组、抛光缓冲盘、机械手；X侧和Y侧的清洗模组和光电化学机械抛光模组均独立运行；机械手或组合机械手用于将晶圆在晶圆传输站传输、抛光缓冲盘、清洗干燥模块、抛光模组之间传输。本申请能够解决SiC晶圆抛光效率低与面型质量差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体超精密加工，尤其涉及一种晶圆光电化学机械抛光装置、方法及控制器。

技术介绍

1、单晶碳化硅(sic)作为第3代半导体材料，与传统半导体材料相比，具有高热导率、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速率、高键合能和宽禁带等特点，是高频、高温、大功率、抗辐照电子器件及传感器件的优选材料，也是制造大尺寸、超高亮度白光、蓝光二极管和激光二极管的理想衬底材料，在航空、航天探测、核能开发、雷达、通信领域具有重要应用。

2、随着光电、微机电系统以及信息技术的迅速发展，对相关器件所应用的单晶sic衬底的表面加工精度和表面质量提出了亚纳米制造精度和无亚表层缺陷的超光滑表面制造要求。但是由于sic晶体本身的高硬度、高脆性、高稳定性等特点，使sic晶圆抛光效率难以保证，现阶段针对sic晶圆抛光抛光工艺，传统的化学机械抛光(cmp)装置由于抛光压力较大，晶圆在切削力的作用下容易发生变形，从而导致晶圆表面损伤，且晶圆抛光效率低。

3、因此亟需新型抛光装置与工艺解决sic晶圆抛光效率低与面型质量差的问题。

>技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，包括传输模组、清洗模组和抛光模组；

2.如权利要求1所述的晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，所述第一清洗干燥模块包括第一酸性清洗工位、第一碱性清洗工位和第一干燥工位；

3.如权利要求1所述的晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，所述晶圆传输站包括第一层晶圆放置处和第二层晶圆放置处；

4.如权利要求1所述的晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，所述X侧光电化学机械抛光模组包括X侧晶圆放置工位和X侧抛光工位；所述X侧晶圆放置工位包括第一晶圆放置工位、第二晶圆放置工位和第三晶圆放置工位；所述X侧抛光工位包括第...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，包括传输模组、清洗模组和抛光模组；

2.如权利要求1所述的晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，所述第一清洗干燥模块包括第一酸性清洗工位、第一碱性清洗工位和第一干燥工位；

3.如权利要求1所述的晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，所述晶圆传输站包括第一层晶圆放置处和第二层晶圆放置处；

4.如权利要求1所述的晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，所述x侧光电化学机械抛光模组包括x侧晶圆放置工位和x侧抛光工位；所述x侧晶圆放置工位包括第一晶圆放置工位、第二晶圆放置工位和第三晶圆放置工位；所述x侧抛光工位包括第一抛光工位和第二抛光工位；

5.如权利要求4所述的晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，所述第一抛光工位包括第一光源；所述第一光源为紫外灯光源；所述第二抛光工位包括第二光源；所述第二光源为蓝光光源。

6.如权利要求5所述的晶圆光电化学机械抛光装置，其特征在于，在所述第一抛光工位的所述紫外灯光源的照射下进行第一次光电化学机械抛光的过程中，所用到的抛光液为ceo2光催化剂和kmno4电子捕获剂，所述抛光液的ph为2～4；所用到的抛光垫为镂空的抛光垫，镂空部分的开孔形状...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，蔡长益，张康，左晓磊，杨亮，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：