【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装领域,尤其涉及一种封装结构及其制造方法、采用该封装结构的电子器件。
技术介绍
1、无引脚封装,例如qfn(quad flat no-leads)元器件,在smt贴片加工焊接后侧面难上锡或爬锡高度不足是常见问题,这影响了封装结构的自动化视觉检查(automatedvisual inspection,简称avi)。
2、封装结构侧面难上锡或爬锡高度不足的原因在于,封装结构侧面引脚焊端都是裸铜,而铜在空气中易被氧化,形成氧化铜,氧化铜不易上锡或爬锡高度不足。为了解决这一问题,可以采取以下措施:在封装制程切割前加入了阶梯式切割及电镀工艺,将引脚切割至约一半的铜导线厚度,清洗后在封装底部焊垫及阶梯切割槽内暴露的铜面进行100%镀锡,镀层可起到保护暴露铜的作用,并允许在阶梯切割槽域进行焊接,以便自封装结构侧面进行100%光学检查,验证焊点连接的完整性,达到验证电气连接的目的,确保引脚/端子能成功地焊接在印刷电路板(pcb)上。
3、在封装底部焊垫及阶梯切割槽内暴露的铜面进行100%镀锡的工艺为电镀工艺
...【技术保护点】
1.一种封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述引线框架为预电镀引线框架,所述预覆金属层预先形成在所述引线框架底面。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,沿相邻的塑封单元之间的第一切割道对所述塑封结构进行半切割的深度为所述初始引脚的厚度的一半。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,沿相邻的塑封单元之间的第一切割道对所述塑封结构进行半切割,形成侧面具有阶梯切割槽的引脚的步骤还包括:所述初始塑封体也被切割,形成侧面具有阶梯切割槽的塑封体。
5.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述引线框架为预电镀引线框架,所述预覆金属层预先形成在所述引线框架底面。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,沿相邻的塑封单元之间的第一切割道对所述塑封结构进行半切割的深度为所述初始引脚的厚度的一半。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,沿相邻的塑封单元之间的第一切割道对所述塑封结构进行半切割,形成侧面具有阶梯切割槽的引脚的步骤还包括:所述初始塑封体也被切割,形成侧面具有阶梯切割槽的塑封体。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述引线框架还包括位于相邻的塑封单元之间的框架连筋,沿相邻的塑封单元之间的第一切割道对所述塑封结构进行半切割的步骤中,所述框架连筋也被半切割;覆盖有机可焊性保护层的步骤中,所述有机可焊性保护层还选择性地覆盖在所述框架连筋的切割面上。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述第一切割道的宽度大于所述框架连筋的宽度,所述第二切割道的宽度大于或等于所述框...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈炯国,徐高庆,崔晶汉,张军锋,郑刚,
申请(专利权)人:长电科技汽车电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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