光电器件的制备方法、光电器件及显示装置制造方法及图纸

技术编号:43731804 阅读:16 留言:0更新日期:2024-12-20 12:56
本申请公开了一种光电器件的制备方法、光电器件及显示装置。本申请的光电器件的制备方法,在制备电子传输层时通过添加光致生酸剂,然后光照产生酸,并使所产生的酸与无机半导体粒子发生配体交换,得到具有极性的无机半导体粒子,使得在电子传输层上采用溶剂为非极性的功能层材料分散液制备功能层时,电子传输层不会被非极性溶剂溶解,从而提高电子传输层的抗溶性,即提高电子传输层的抗溶液冲刷性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,尤其涉及一种光电器件的制备方法、光电器件以及包括所述光电器件的显示装置。


技术介绍

1、目前广泛使用的光电器件为有机发光二极管(oled)和量子点发光二极管(qled)。oled由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能,已成为显示
中的主流技术。qled具有出射光颜色饱、波长可调、启亮电压低、溶液加工性好、量子点易于精细控制等优点,而且光致、电致发光量子产率高,近年来成了oled的有力竞争着。

2、传统的oled和qled器件结构一般包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。在电场的作用下,光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动,分别向空穴传输层和电子传输层注入,最终迁移到发光层,当二者在发光层相遇时,产生能量激子,从而激发发光分子最终产生可见光。

3、然而,现有的光电器件的发光效率较低,有待进一步提高。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提供一种光电器件,旨在改善现有的光电器件发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述电子传输材料分散液包括第一电子传输材料分散液和第二电子传输材料分散液,所述第一电子传输材料分散液中包括第一光致生酸剂、第一无机半导体粒子和第一溶剂,所述第二电子传输材料分散液中包括第二光致生酸剂、第二无机半导体粒子和第二溶剂,所述将所述电子传输材料分散液设置在所述光电器件预制件上,光照处理,得到电子传输层,包括;

5.如权利要求4所述的制备方法,其...

【技术特征摘要】

1.一种光电器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述电子传输材料分散液包括第一电子传输材料分散液和第二电子传输材料分散液,所述第一电子传输材料分散液中包括第一光致生酸剂、第一无机半导体粒子和第一溶剂,所述第二电子传输材料分散液中包括第二光致生酸剂、第二无机半导体粒子和第二溶剂,所述将所述电子传输材料分散液设置在所述光电器件预制件上,光照处理,得到电子传输层,包括;

5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述第一无机半导体粒子包括第一掺杂型金属氧化物颗粒和第一非掺杂型金属氧化物颗粒中的一种或多种,所述第二无机半导体粒子包括第二掺杂型金属氧化物颗粒和第二非掺杂型金属氧化物颗粒中的一种或多种,其中,所述第一非掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物、所述第二非掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物、所述第一掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物、所述第二掺杂型金属氧化物颗粒中的金属氧化物分别独立包括zno、nio、w2o3、mo2o3、tio2、sno、zro2、ta2o3、ga2o3、sio2、cao、hfo2、srtio3、batio3、mgtio3中的一种或多种。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,

7.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,

8.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述光照处理之后包括退火,所述第一光照处理之后包括第一退火,所述第二光照处理之后包括第二退火,所述退火、所述第一退火、所述第二退火的温度分别独立为80~100℃,和/或所述退火、所述第一退火、所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁文林
申请(专利权)人:广东聚华新型显示研究院
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1