MIM电容器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种MIM 电容器及其制造方法，其下极板与下层金属互连线采用同一层金属层形成，有利于降低芯片的厚度，而且还能利用下极板的立体结构图案中的若干凹陷部和若干凸起部，使MIM 电容器在所述立体结构图案处呈折叠结构，由此与常规的平面MIM电容器结构相比，相同总电容值的情况下，可以大幅缩小MIM电容器的面积，进而缩小整个芯片的面积，实现更高的性价比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造，特别涉及一种mim 电容器及其制造方法。

技术介绍

1、电容器是集成电路(例如射频电路、混合信号电路等)中的一种常用的无源电子器件，通常包括金属氧化物半导体(mos)电容、pn结电容、多晶硅-绝缘体-多晶硅(pip)电容以及金属-绝缘体-金属(mim)电容等。

2、其中，mim电容器是一种平板电容器，一般在后段制程(back-end of line，beol)中形成于金属互连结构上，由两层金属分别作为上下电极，中间为绝缘介质层（dielectric），其上下电极的金属制作工艺易与金属互连工艺相兼容的铜、铝等。

3、请参考图1，现有的一种mim电容器的制造方法是将mim电容器形成在两层金属互连层metal_n-1、metal_n之间的金属层间介质层idl_n中，需要经过下电极金属沉积、绝缘介质层cild沉积、上电极金属沉积、上电极ctm光刻与刻蚀、下电极cbm光刻与刻蚀等一系列工艺步骤来实现，mim电容器的上电极ctm和下极板cbm通过相应的通孔via_n引出到metal_n。显然该方法需要额外的两张光罩本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MIM电容器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于，所述下层金属互连线和所述下极板形成在下层金属层间介质层上，所述立体结构图案的所述凹陷部包括第一凹陷和第二凹陷中的至少一种，所述第一凹陷暴露出所述下层金属层间介质层的顶面，所述第二凹陷未暴露出所述下层金属层间介质层的顶面。

3.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于，所述上极板在各个所述凹陷部处凹陷，或者，所述上极板填满至少一个凹陷部。

4.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于，所述凸起部选自条状凸起、多边形柱状凸起、圆柱状凸起、棱台状凸起、圆台状凸起、球...

【技术特征摘要】

1.一种mim电容器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的mim电容器，其特征在于，所述下层金属互连线和所述下极板形成在下层金属层间介质层上，所述立体结构图案的所述凹陷部包括第一凹陷和第二凹陷中的至少一种，所述第一凹陷暴露出所述下层金属层间介质层的顶面，所述第二凹陷未暴露出所述下层金属层间介质层的顶面。

3.如权利要求1所述的mim电容器，其特征在于，所述上极板在各个所述凹陷部处凹陷，或者，所述上极板填满至少一个凹陷部。

4.如权利要求1所述的mim电容器，其特征在于，所述凸起部选自条状凸起、多边形柱状凸起、圆柱状凸起、棱台状凸起、圆台状凸起、球台状凸起中的至少一种。

5.如权利要求4所述的mim电容器，其特征在于，至少一个凸起部的侧壁和/或顶面为用于增大表面积的图案化表面，所述绝缘介质层保形地覆盖在所述图案化...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷天飞，秦仁刚，
申请(专利权)人：荣芯半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：