一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法技术

本发明专利技术公开一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，涉及表面处理技术领域，在钕铁硼基材上电镀铜时，镀铜溶液中加入添加剂，添加剂为3‑吡啶甲酸及3‑吡啶甲酰铵和盐酸吡啶的混合物，3‑吡啶甲酸及3‑吡啶甲酰铵的混合物与盐酸吡啶的质量比在1:10到10:1之间，其中3‑吡啶甲酸及3‑吡啶甲酰铵的混合物的浓度在1‑20g/L。本发明专利技术的添加剂促进金属离子在基材表面的均匀沉积，能够使得钕铁硼磁体在电镀时减少高低电流区的厚度差异，因此提高了铜层厚度分布的均匀性，从而提高电镀铜层整体的致密性，进而改善了铜层的抗腐蚀性能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及表面处理，特别指一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法。

技术介绍

1、钕铁硼磁体为电子器件领域广泛应用的功能材料，化学性质活泼，易被腐蚀，目前多采用表面电镀镍层进行保护，为提高镀层与基材的结合力，并减少电镀镍时析氢反应对磁体的损伤，一般需要先在表面电镀铜底层，在一些特殊应用场景中，前面两次电镀得到的总的铜层厚度要求比较薄（通常要求小于等于5微米），由于在电镀过程中，电流在工件上的分布不均匀，存在高低位，从而导致电镀铜层的厚度不均匀，低电流区的电镀铜层的厚度要小于甚至远小于名义厚度（5微米），在电镀铜层厚度很小的情况下，铜层的致密性对磁体整体的防腐性较差，因此本专利技术在于减少高低电流区的厚度差异，提高铜层厚度分布的均匀性，从而提高电镀铜层整体的致密性，进而改善铜层的抗腐蚀性能力。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，能够提高电镀铜层厚度分布的均匀性，从而提高电镀铜层整体的致密性，改善其抗腐蚀性的能力。

2、为达成上述目的，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，其特征在于：在钕铁硼基材表面上电镀铜时，镀铜溶液中加入添加剂，添加剂为3-吡啶甲酸及3-吡啶甲酰铵和盐酸吡啶的混合物，3-吡啶甲酸及3-吡啶甲酰铵的混合物与盐酸吡啶的质量比在1:10到10:1之间，其中3-吡啶甲酸及3-吡啶甲酰铵的混合物的浓度在1-20g/L。

2.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，其特征在于：包括以下步骤：

3.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，其特征在于：在步骤S10中，第一镀铜溶液中各化学成分的质量浓度如下：

4.如权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，其特征在于：在钕铁硼基材表面上电镀铜时，镀铜溶液中加入添加剂，添加剂为3-吡啶甲酸及3-吡啶甲酰铵和盐酸吡啶的混合物，3-吡啶甲酸及3-吡啶甲酰铵的混合物与盐酸吡啶的质量比在1:10到10:1之间，其中3-吡啶甲酸及3-吡啶甲酰铵的混合物的浓度在1-20g/l。

2.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，其特征在于：包括以下步骤：

3.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，其特征在于：在步骤s10中，第一镀铜溶液中各化学成分的质量浓度如下：

4.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，其特征在于：步骤s10中，预镀铜的温度为10-25℃，ph值为9-12，阳极电极为磷铜阳极或无氧铜阳极；在采用滚镀时，电流密度为0.1-0.3a/平方分米；在采用挂镀时，电流密度为0.2-1.0a/平方分米。

5.如权利要求1所述的一种提高钕铁硼基材上电镀铜层致密性的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：周保平，解长波，刘健，许宝文，
申请(专利权)人：包头市英思特稀磁新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：