一种立方相稀土掺杂氧化铪薄膜及其制备方法与用途技术

本发明专利技术属于激光光学技术领域，本发明专利技术的提供了一种立方相稀土掺杂氧化铪薄膜及其制备方法与用途，所述制备方法采用特定的氧化铪陶瓷靶与稀土靶进行搭配，进行双靶磁控溅射，得到立方相稀土掺杂氧化铪薄膜。通过特定的制备方法获得的稀土掺杂氧化铪薄膜相比于单一组分的氧化铪薄膜，具有更高的激光损伤阈值，更高的导热系数从而具有更优异的高温相稳定性，有效避免了由于激光热损伤引起的膜系失效缺陷，有利于制造更稳定的激光光学元件，如激光增透光学元件和激光反射防护光学元件等，为高能激光系统提供支持。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光光学，涉及一种立方相稀土掺杂氧化铪薄膜及其制备方法与用途。

技术介绍

1、随着超强激光器系统在武器制导、空间电子对抗和激光诱导核聚变领域越来越广泛地应用，对系统光学元件抗激光损伤性能需求也日益增加。以激光武器系统为例，其激光光学系统中的光学元件普遍采用光学陶瓷玻璃。然而，该材料的自身透过率在激光波长下普遍低于85%，激光能量吸收率超过10%。这种吸收现象会导致其在高能激光辐照下容易吸收激光能量而产生裂纹甚至破裂，无法实现高能激光系统的持续稳定应用，在其光学元件表面镀单层或多层光学薄膜改变入射激光光路，实现光学元件对于激光的增透，从而提升光学系统整体的抗激光损伤性能。此外，以激光红外探测器的激光防护为例，在其光学元件表面镀单层或多层光学薄膜改变入射激光光路，实现对激光的全反射，避免其红外传感器免受激光致盲损伤，从而增加激光探测器整体的抗激光损伤性能。因此，光学薄膜自身的抗激光损伤性能决定了整个光学元件的抗激光损伤性能。

2、激光辐照下光学薄膜的激光损伤本质是薄膜材料自身的激光能量的吸收，导致的热损伤。因此，筛选低激光本征吸收和高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，采用氧化铪陶瓷靶及稀土靶进行双靶磁控溅射，在沉积过程中使稀土元素占据铪的晶格位点实现稳定固溶掺杂，以得到立方相稀土掺杂氧化铪薄膜。

2.根据权利要求1所述的立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，所述稀土靶中的稀土元素包括Y、Er、Yb、Eu或Sc中的至少一种；

3.根据权利要求1或2所述的立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，所述稀土靶包括稀土元素的金属靶或化合物靶；所述化合物靶包括氧化物靶；

4.根据权利要求1或2所述的立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的制备方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，采用氧化铪陶瓷靶及稀土靶进行双靶磁控溅射，在沉积过程中使稀土元素占据铪的晶格位点实现稳定固溶掺杂，以得到立方相稀土掺杂氧化铪薄膜。

2.根据权利要求1所述的立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，所述稀土靶中的稀土元素包括y、er、yb、eu或sc中的至少一种；

3.根据权利要求1或2所述的立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，所述稀土靶包括稀土元素的金属靶或化合物靶；所述化合物靶包括氧化物靶；

4.根据权利要求1或2所述的立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，所述双靶磁控溅射包括先进行1~5min的预溅射，再进行共溅射；

5.一种立方相稀土掺杂氧化铪薄膜，其特征在于，根据权利要求1-4任一项所述的制备方法得到。

6.一种权利要求5所述的立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的用途，其特征在于，所述用途包括作为高激光损伤阈值的激光光学薄膜。

7.根据权利要求6所述的立方相稀土掺杂氧化铪薄膜的用途，其特征在于，所述用途包括激光增透光学元件；所述激光增透光学元件包括光学衬底及其上依次设置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓旭，张思卿，张伟刚，
申请(专利权)人：中国科学院赣江创新研究院，
类型：发明
国别省市：