【技术实现步骤摘要】
本技术涉及坩埚装置，尤其涉及一种免籽晶晶体坩埚。
技术介绍
1、下降法生长单晶体是一种常见的晶体生长方法，其基本原理是通过上下加热区的温度调控，在上下加热区造成一定的温度梯度，将原料装入坩埚内，放置于下降炉中进行加热熔化，然后坩埚在下降装置的带动下缓慢下降通过温度梯度区，从而在坩埚底部结晶，随着坩埚的连续移动，晶体沿着与坩埚运动相反的方向逐渐长大。
2、该方法的关键在于晶体生长初期坩埚底部的结晶过程，为了保证初期结晶的质量，一般会在坩埚底部放置籽晶诱导结晶，从而提高晶体生长质量。但籽晶加工成本高昂、籽晶放置技术难度大、过程复杂，籽晶生长对设备控温要求苛刻，从而导致籽晶诱导生长成本高、良率低。
3、因此，提供了一种免籽晶晶体坩埚，以解决上述所提出的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的是为了解决上述
技术介绍
中提出的问题，而提出的一种免籽晶晶体坩埚。
2、为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
3、一种免籽晶晶体坩埚，包括坩埚本体：
...【技术保护点】
1.一种免籽晶晶体坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(1)：
2.根据权利要求1所述的一种免籽晶晶体坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(1)的总长度为100-800mm。
3.根据权利要求1所述的一种免籽晶晶体坩埚，其特征在于，还包括丝杆(202)，所述坩埚本体(1)上固定连接有滑动块(3)，且所述滑动块(3)螺纹连接在丝杆(202)上。
4.根据权利要求3所述的一种免籽晶晶体坩埚，其特征在于，还包括：壳体(201)，所述丝杆(202)转动连接在壳体(201)上，且所述壳体(201)上设置有开口，所述滑动块(3)滑动连接在开口内。
<...【技术特征摘要】
1.一种免籽晶晶体坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(1)：
2.根据权利要求1所述的一种免籽晶晶体坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(1)的总长度为100-800mm。
3.根据权利要求1所述的一种免籽晶晶体坩埚，其特征在于，还包括丝杆(202)，所述坩埚本体(1)上固定连接有滑动块(3)，且所述滑动块(3)螺纹连接在丝杆...
【专利技术属性】
技术研发人员：张辉，
申请(专利权)人：北京梦晖科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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