【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及近场环境下的瞬态响应，尤其是一种用于导电结构的基于tlm（transmissionline modelling，传输线建模）的多支路导体簇瞬态响应方法和系统。
技术介绍
1、在进行大尺度电磁场计算时，往往会出现对象包含径向尺寸远小于目标频率波长的导体的情况，这里称该类导体为细导体。在全波求解细导体瞬态响应时，需要在其截面上剖分网格，由于细导体径向尺寸较小，因此会导致整体目标的网格尺寸向细导体妥协。这种情况下，分析较大电磁结构中布置的多根细导体结构在电磁瞬态分析中会导致不必要的网格冗余，使得内存占用过大，计算时间大幅增加。
2、以往针对该类问题，通常采用局部精细化网格剖分技术，或采用传输线等效求解，或将整个导体结构用矢量匹配法等效为有理函数模型，转化为集总阻抗模型求解。然而局部精细化方法会消耗大量计算资源、传输线方法无法等效复导体筋网络、用矢量匹配法等效在面对实际工程时显得不够灵活。因此，对于复杂结构下细导体的瞬态响应计算亟需一种兼具快速与精准的计算方法。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种用于导电结构的基于TLM的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的用于导电结构的基于TLM的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，令支路m和支路g同向，且支路m为Q方向的正向，g为Q方向的负向，Q∈{x,y,z}，则S3中Q方向上的传播方程为：
3.如权利要求2所述的用于导电结构的基于TLM的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，S2中，响应的计算公式为：
4.如权利要求3所述的用于导电结构的基于TLM的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，Vncsh,freq、Vnth,freq、Inc...
【技术特征摘要】
1.一种用于导电结构的基于tlm的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的用于导电结构的基于tlm的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，令支路m和支路g同向，且支路m为q方向的正向，g为q方向的负向，q∈{x,y,z}，则s3中q方向上的传播方程为：
3.如权利要求2所述的用于导电结构的基于tlm的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，s2中，响应的计算公式为：
4.如权利要求3所述的用于导电结构的基于tlm的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，vncsh,freq、vnth,freq、incoh,freq、inth,freq计算公式如下：
5.如权利要求3所述的用于导电结构的基于tlm的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，步骤s5包括以下分步骤：
6.如权利要求5所述的用于导电结构的基于tlm的多支路导体簇瞬态响应方法，其特征在于，令支路h的瞬时端口电...
【专利技术属性】
技术研发人员：向念文，吴烨欣，王书来，雷佳华，李科杰，乔光尧，王超群，韩彬，赵泽昕，谭永旭，李兆坤，田鹏坤，秦呈呈，柯一帆，金传双，余凯，吕增威，黄胜鑫，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：
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