【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及沉积成膜，具体涉及一种沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法及沉积成膜设备。
技术介绍
1、利用等离子体增强（plasma enhanced，pe）工艺的沉积成膜设备包括射频电源、反应器和电极组件。反应器的内部形成反应腔，电极组件安装于反应腔中，射频电源和电极组件相连。
2、请参考图1，图1为相关技术中沉积成膜设备的一种电极组件的结构示意图。
3、相关技术中，如图1所示，电极组件包括两个相间隔地支撑杆011和两个相间隔的电极杆012，两支撑杆011均采用绝缘材料制备，两电极杆012外侧套设绝缘套管。两支撑杆011均设置有电极座013，两电极杆012分别和两个电极座013相连接。在进行沉积成膜作业时，承载有硅片等基片的载具可以被运输至反应腔中，并可以支撑于两支撑杆011，同时，载具可以和两电极座013相连，以构建射频电源和载具之间的电连接关系。然后，向反应腔内通入反应气体，并启动射频电源，即可以在基片的表面进行沉积成膜。
4、然而，在基片表面制备导电膜时，随着工艺的不断进行，电极组件中绝缘部...
【技术保护点】
1.沉积成膜中电极组件绝缘异常的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括异常处理步骤，所述异常处理步骤包括：
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述绝缘膜包括氮化硅膜、氧化硅膜和氮氧化硅膜中的至少一者。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法在所述异常处理步骤之前还包括异常检测步骤，所述异常检测步骤包括：
4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述第一特征信息包括单位电弧数量，所述单位电弧数量为单位时间内一个所述反应器中的电弧数量，所述第一设定条件为所述单位电弧数量大于设定数量。
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