一种自耦、低压双电压有载调压变压器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种自耦、低压双电压有载调压变压器，属于变压器制造技术领域。技术方案是包含恒磁通器身（１）和变磁通器身（２），恒磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为平衡绕组（３）、公共绕组（４）、调压绕组（５）、切换绕组（６）、串联绕组（７）；变磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为补偿绕组（８）、激磁绕组（９）；这两个器身之间的电气连接为：串联绕组（７）与公共绕组（４）串联为自耦结构，通过切换开关（１２）选择切换绕组（６）是串入串联绕组还是串入公共绕组，以实现低压在不同电压等级的电网之间切换。本实用新型专利技术采用了一种全新的双器身结构设计，有效地解决了低压接不同电压等级的电网时共用一套调压绕组造成的电压偏差过大的问题。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种自耦、低压双电压有载调压变压器，属于变压器制造技术领 域。技术背景自耦变压器高压为无励磁调压，低压可在两种电压等级的电网上切换，且低压在 不同的电压下还可以分别进行有载调压，目前存在的问题是低压在不同的电压下共用一 套调压绕组时电压偏差过大
技术实现思路
本技术目的是提供一种自耦、低压双电压有载调压变压器，采用双器身结构 设计，解决
技术介绍
中存在的上述问题。本技术的技术方案是一种自耦、低压双电压有载调压变压器包含它恒磁通器身和变磁通器身，恒磁通 器身为主器身，变磁通器身为辅器身，恒磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为 平衡绕组、公共绕组、调压绕组、切换绕组、串联绕组；变磁通器身从铁心柱起从内向外的绕 组排列顺序为补偿绕组、激磁绕组；这两个器身之间的电气连接为串联绕组与公共绕组 串联为自耦结构，通过切换开关选择切换绕组是串入串联绕组还是串入公共绕组，以实现 低压在不同电压等级的电网之间切换。所说的恒磁通器身和变磁通器身设置在变压器油箱中，为两个三相三柱式变压器身。恒磁通器身较变磁通器身结构尺寸要大得多，故可以将变磁通器身正交置于恒磁 通器身的端部。变压器端部另设有三个单相的低压有载开关，用于低压的有载调压；变压器的高 压侧设有三个单相的高压无载开关，用于高压的无载调压；变压器的低压侧还设有三个单 相的无载调压的切换开关，用于低压电压在两种电压等级之间切换。为实现低压可以接两种电压等级的电网，在串联绕组和公共绕组之间设置有一个 切换绕组，用切换开关控制其串入串联绕组或串入公共绕组，即通过此控制公共绕组的匝 数可以大幅度地变化，以实现低压在两种电压等级的电网下大幅度地变化。当低压电压为较低电压时，用无载开关控制将补偿绕组串联于调压绕组末端，将 激磁绕组并联在调压绕组和补偿绕组上。这样，激磁绕组便给串联在调压绕组末端的补偿 绕组励磁，使得低压在较低电压下有载调压时电压偏差尽可能地小。当低压电压为较高电 压时，用无载开关控制将补偿绕组和激磁绕组从线路上切除，使调压绕组直接串在公共绕 组末端，以实现低压的有载调压。此外，在恒磁通器身上还设有一地接的平衡绕组，以便流 通三次谐波和零序磁通。本技术的有益效果采用了全新的双器身、变磁通补偿调压结构，可以使在两种电压等级下的低压绕组可共用一套调压绕组和有载开关，且保证各分接电压误差尽量地小。本技术结构的变压器可用在三种不同电压等级的电网之间，但只负责其中的高压 电网分别对两种低压电网之间的潮流往来。本技术采用了一种全新的双器身结构设 计，有效地解决了低压接不同电压等级的电网时共用一套调压绕组造成的电压偏差过大的 问题。附图说明附图1是本技术变压器结构布置俯视图；附图2是本技术器身绕组排列图；附图3是本技术电气接线原理图；附图4是平衡绕组接线图。图中1恒磁通器身(主器身)、2变磁通器身(辅器身)、3平衡绕组(PV)、4公共 绕组(LV2)、5调压绕组(TV)、6切换绕组(LVl)、7串联绕组(HV)、8补偿绕组(LV3)、9激磁 绕组EV、10有载开关、11无载开关、12切换开关。具体实施方式以下结合附图，通过实施例对本技术作进一步说明。在实施例中，自耦、低压双电压有载调压变压器包含恒磁通器身1 (主器身)和变 磁通器身2 (辅器身)；恒磁通器身上有平衡绕组PV、公共绕组LV2、调压绕组TV、切换绕组 LV1、串联绕组HV ；变磁通器身上有补偿绕组LV3、激磁绕组EV。两个器身的铁心均为三相三 柱式结构，恒磁通器身1较变磁通器身2结构尺寸要大得多，故可以将变磁通器身正交置于 恒磁通器身的端部。变压器端部另设有三个单相的有载开关10，用于低压的有载调压。变 压器的高压侧设有三个单相的无载开关11，用于高压的无载调压。变压器的低压侧还设有 三个单相的无载调压的切换开关12，用于低压电压在两种电压等级之间切换。当所有无载 开关的x_y联通时，低压侧可接较高电压等级电网；当所有无载开关的x-z联通时，低压侧 可接较低电压等级电网。恒磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为平衡绕组3、公共绕组4、调压 绕组5、切换绕组6、串联绕组7 ；变磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为补偿绕 组8、激磁绕组9 ；这两个器身之间的电气连接为串联绕组7与公共绕组4串联为自耦结 构，通过切换开关12选择切换绕组6是串入串联绕组还是串入公共绕组，以实现低压在不 同电压等级的电网之间切换。当低压电压为较低电压时，用无载开关控制将补偿绕组8串联于调压绕组5末端， 将激磁绕组9并联在调压绕组5和补偿绕组8上。这样，激磁绕组便给串联在调压绕组末 端的补偿绕组励磁，使得低压在较低电压下有载调压时电压偏差尽可能地小。当低压电压 为较高电压时，用无载开关控制将补偿绕组8和激磁绕组9从线路上切除，使调压绕组直接 串在公共绕组末端，以实现低压的有载调压。此外，在恒磁通器身上还设有一地接的平衡绕 组3，以便流通三次谐波和零序磁通。权利要求一种自耦、低压双电压有载调压变压器，其特征在于包含恒磁通器身(1)和变磁通器身(2)，恒磁通器身为主器身，变磁通器身为辅器身，恒磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为平衡绕组(3)、公共绕组(4)、调压绕组(5)、切换绕组(6)、串联绕组(7)；变磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为补偿绕组(8)、激磁绕组(9)。2.根据权利要求1所述之自耦、低压双电压有载调压变压器，其特征在于所说的恒磁 通器身(1)和变磁通器身(2)设置在变压器油箱中，为两个三相三柱式变压器器身。3.根据权利要求2所述之自耦、低压双电压有载调压变压器，其特征在于恒磁通器身 较变磁通器身结构尺寸大，将变磁通器身正交置于恒磁通器身的端部。4.根据权利要求1或2所述之自耦、低压双电压有载调压变压器，其特征在于变压器端 部另设有三个单相的低压有载开关(10)，用于低压的有载调压；变压器的高压侧设有三个 单相的高压无载开关(11)，用于高压的无载调压；变压器的低压侧还设有三个单相的无载 调压的切换开关(12)，用于低压电压在两种电压等级之间切换。专利摘要本技术涉及一种自耦、低压双电压有载调压变压器，属于变压器制造
技术方案是包含恒磁通器身(1)和变磁通器身(2)，恒磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为平衡绕组(3)、公共绕组(4)、调压绕组(5)、切换绕组(6)、串联绕组(7)；变磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为补偿绕组(8)、激磁绕组(9)；这两个器身之间的电气连接为串联绕组(7)与公共绕组(4)串联为自耦结构，通过切换开关(12)选择切换绕组(6)是串入串联绕组还是串入公共绕组，以实现低压在不同电压等级的电网之间切换。本技术采用了一种全新的双器身结构设计，有效地解决了低压接不同电压等级的电网时共用一套调压绕组造成的电压偏差过大的问题。文档编号H01F30/02GK201562573SQ20092031408公开日2010年8月25日 申请日期2009年11月5日 优先权日2009年11月5日专利技术者何丽颖, 刘东升, 刘力强, 张元录, 张栋, 李程 申请人:保定天威集团有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自耦、低压双电压有载调压变压器，其特征在于包含恒磁通器身（１）和变磁通器身（２），恒磁通器身为主器身，变磁通器身为辅器身，恒磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为平衡绕组（３）、公共绕组（４）、调压绕组（５）、切换绕组（６）、串联绕组（７）；变磁通器身从铁心柱起从内向外的绕组排列顺序为补偿绕组（８）、激磁绕组（９）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李程，刘力强，何丽颖，张栋，张元录，刘东升，
申请(专利权)人：保定天威集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：13[中国|河北]