【技术实现步骤摘要】
本申请涉及抛光，具体涉及一种抛光终点检测方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、化学机械抛光（cmp, chemical mechanical polish）作为半导体器件制造过程中的关键工艺之一，用于去除多层材料和平坦化晶圆表面，确保器件性能和可靠性。然而，在实际生产中抛光过度或不足都会导致产品出现严重的质量问题，因此，如何实时监测抛光状态并准确判断是否到达抛光终点，成了亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请实施例公开了一种抛光终点检测方法、装置、电子设备及存储介质，能够在对晶圆进行化学机械抛光的过程中，准确地识别是否到达抛光终点，提高了抛光终点检测的准确性。
2、本申请实施例第一方面公开一种抛光终点检测方法，应用于化学机械抛光设备，所述化学机械抛光设备包括驱动电机及抛光盘，所述驱动电机用于驱动所述抛光盘旋转，所述方法包括：
3、在对晶圆进行化学机械抛光的过程中，采集所述驱动电机驱动所述抛光盘旋转预设圈数对应的扭矩信号；
4、根据所述扭...
【技术保护点】
1.一种抛光终点检测方法，其特征在于，应用于化学机械抛光设备，所述化学机械抛光设备包括驱动电机及抛光盘，所述驱动电机用于驱动所述抛光盘旋转，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述扭矩信号提取扭矩特征，得到扭矩特征集合，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述扭矩信号提取扭矩特征，得到扭矩特征集合，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光终点检测模型通过训练集训练得到，所述训练集包括多组训练扭矩数据，每组训练扭矩数据包括训练扭矩信号以及所述训练扭矩信号对应的终点标...
【技术特征摘要】
1.一种抛光终点检测方法，其特征在于，应用于化学机械抛光设备，所述化学机械抛光设备包括驱动电机及抛光盘，所述驱动电机用于驱动所述抛光盘旋转，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述扭矩信号提取扭矩特征，得到扭矩特征集合，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述扭矩信号提取扭矩特征，得到扭矩特征集合，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光终点检测模型通过训练集训练得到，所述训练集包括多组训练扭矩数据，每组训练扭矩数据包括训练扭矩信号以及所述训练扭矩信号对应的终点标签，所述终点标签用于表征是否到达抛光终点；在所述在对晶圆进行化学机械抛光的过程中，采集所述驱动电机驱动所述抛光盘旋转预设圈数对应的扭矩信号之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述根据各组所述训练扭矩数据包含的训练扭矩信号提取...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：江苏元夫半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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