一种基于激光3D打印制备多材料复合集成电路器件的方法技术

本发明专利技术提供了一种基于激光3D打印制备多材料复合集成电路器件的方法，该方法包括：建立待制备的多材料复合集成电路器件的三维结构模型，使用激光3D打印机按照分层切片和设置的工艺参数，逐层打印出多材料复合集成电路器件的机械结构；再通过微注射的方式将导电材料注入预留的导电通道中，实现电子结构的微压铸成型；之后再进行预设温度的共烧工艺，使机械结构和电子结构二者形成牢固的结合，最后再进行封装。此方法突破了传统多材料集成电路制备技术的局限性，可以增加设计的灵活性，改善结构的精细度，制备流程简单快速，减少了工艺制备的周期和和成本，更加适应快速迭代和个性化器件的定制需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路领域，具体涉及一种基于激光3d打印制备多材料复合集成电路器件的方法。

技术介绍

1、随着信息技术的飞速发展，集成电路器件在现代电子设备中的应用日益广泛，在电子及微电子工业中，多材料复合集成电路器件(mmic)的需求日益增长。利用不同材料的特性，包括半导体、绝缘体和金属等，构建的多材料复合结构有助于提升器件的性能，并使其能够在更广的工作频率和更严苛的环境下运行。这些器件广泛应用于通信、计算机、传感器、能源和生物医学等领域，其制备技术的核心在于如何有效集成并处理多种不同的材料。

2、传统的多材料集成电路器件制备方法，如薄膜沉积以及湿法化学工艺、微机电系统(mems)加工技术、喷墨打印技术及低温共烧陶瓷(ltcc)和高温共烧陶瓷(htcc)技术等，在mmic的制备中扮演了重要角色。薄膜沉积技术如pvd、cvd，虽然能够处理多种材料并制作复杂的堆叠结构，但高温过程可能对某些材料造成损害，限制了这些技术的使用范围。湿法化学工艺在低成本连续制作方面具有优势，但对于制作较为复杂的mmic结构而言，则难以提供光刻或者薄膜沉积技术所能达到的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于激光3D打印制备多材料复合集成电路器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于激光3D打印制备多材料复合集成电路器件的方法，其特征在于，步骤（3）中针对陶瓷基的机械结构，在打印完成之后对其进行脱脂烧结。

3.根据权利要求1所述的基于激光3D打印制备多材料复合集成电路器件的方法，其特征在于，步骤（4）中针对多材料复合注入的情形，先在导电通道内注入一种材料，待其部分固化后，再注入另一种或多种材料；在两种不同材料接触前，对界面采用界面活化技术、纳米粒子增强技术或者界面聚合方法实现不同功能性材料的复合。

【技术特征摘要】

1.一种基于激光3d打印制备多材料复合集成电路器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于激光3d打印制备多材料复合集成电路器件的方法，其特征在于，步骤（3）中针对陶瓷基的机械结构，在打印完成之后对其进行脱脂烧结。

3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宇，黄晨，刘文文，陈洁，侯智善，孙轲，薛伟，
申请(专利权)人：温州大学，
类型：发明
国别省市：