一种降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法技术

本发明专利技术提供一种降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，包括择定主激光器和待优化的从激光器，采用电流泵浦源作为驱动源；根据主激光器和从激光器的相关参数计算从激光器的光学注入锁定区域范围；在不同偏置电流下调整主激光器的注入激光功率范围和注入激光波长范围，同时对从激光器的光谱线宽进行计算，最终得到不同偏置电流下能获得的从激光器的光学注入锁定区域范围内最优的线宽值。本发明专利技术的有益效果为：能够显著降低从激光器的线宽，而且抑制了从激光器的基态线宽在激发态阈值附近的跳变现象，同时抑制了两个能态的线宽再展宽现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电子，具体涉及一种降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法。

技术介绍

1、近几十年，光电子学一直是现代信息社会发展的驱动力。随着5g、云计算和人工智能等技术的出现及人们对于更高网络速度的追求，信息量的激增给电信领域带来前所未有的挑战。微电子芯片遵循的“摩尔定律”指出：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍。集成度的提高是以微细加工尺寸的不断缩小为基础的。然而缩小尺寸是有限度的，因此必须寻找新的出路来提高信息的速率和容量。硅基光电子芯片因为其成本低、所占空间小、能效高、集成密度高等特点正在迅速发展，被认为是下一代数据中心主流数据传输最具前景的解决方案。在新一代通信和计算需求的推动下，硅基光电子技术得到了长足的发展，并以光电子与微电子的深度交融为特征成为后摩尔时代的核心技术。

2、半导体激光器作为光通信系统的核心部件，对整个系统的性能起到了至关重要的作用。低成本、低功耗、高性能的小型半导体激光光源是新一代高速光通信网络的理想光源。零维的量子点(quantum dot,qd)材料具有能级离散分布的特点使本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于：在所述步骤1中，待优化的从激光器为需要被降低线宽的硅基片上半导体量子点激光器。

3.根据权利要求2所述的降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于：在所述步骤1中，主激光器为具有窄光谱线宽的单模可调谐激光器。

4.根据权利要求3所述的降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于：在所述步骤2中，从激光器的相关参数包括输出功率范围、输出激光波长范围、光学参数和从激光器的线宽，主激光器的相关参...

【技术特征摘要】

1.一种降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于：在所述步骤1中，待优化的从激光器为需要被降低线宽的硅基片上半导体量子点激光器。

3.根据权利要求2所述的降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于：在所述步骤1中，主激光器为具有窄光谱线宽的单模可调谐激光器。

4.根据权利要求3所述的降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于：在所述步骤2中，从激光器的相关参数包括输出功率范围、输出激光波长范围、光学参数和从激光器的线宽，主激光器的相关参数包括输出功率范围和输出激光波长范围，从激光器的光学注入锁定区域范围为主激光器光学注入后耦合降低从激光器线宽的注入激光功率范围和注入激光波长范围。

5.根据权利要求4所述的降低硅基片上半导体量子点激光器线宽的方法，其特征在于：在所述步骤2中，主激光器的光耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：段嘉楠，褚琦，靳志勇，高爽，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院，
类型：发明
国别省市：