【技术实现步骤摘要】
一般而言，本专利技术涉及包括一单晶圆、缩小体积的处理腔的系统以及通过该系统处理半导体晶圆的方法的各种实施例。
技术介绍
1、在现代集成电路产品中，如为处理器，存储设备，asic等，有大量的电路组件(特别是晶体管)被设置在一有限的芯片区域内。晶体管有多种形状和形式，例如，平面型晶体管、场效应晶体管(finfet)、纳米线设备、全空乏绝缘体上硅(fdsoi)设备等。晶体管通常是nfet或pfet型设备，其中，“n”和“p”的名称是基于用于生成该设备的源漏区域的掺杂剂类型。这种设备是在硅等半导体材料制成的基板或晶体上制造的。
2、此类设备的形成包括在非常专业的处理工具中执行各种不同的处理操作，例如，蚀刻工艺、沉积工艺、退火工艺等。该晶圆可以在一个处理室中单独处理，或者可以在一个单独的处理室中同时处理多个晶圆。半导体制造业的本质是持续减低制造成本，以提高利润率，以及满足客户对更低价格的一贯需求。因此，一种趋势是在同一时间加工尽可能多的晶圆以提高生产能力，从而达到不断增长的生产目标。
3、在现代半导体制造设备中，通过使用各...
【技术保护点】
1.一种处理晶圆的系统，该系统包括：
2.如权利要求1所述的系统，还包括：
3.如权利要求1所述的系统，其中，该晶圆卡盘是操作地耦接至一腔室门，该腔室门适于结合该处理室的一正面以关闭该处理室，从而将该晶圆卡盘定位在该处理室内的该晶圆加工位置。
4.如权利要求3所述的系统，其中，该晶圆卡盘集成形成于该腔室门。
5.如权利要求1所述的系统，其中，该系统还包括与该处理室连通的一槽体以及适于从一第一位置移动移动至一第二位置的一滑动门，藉此，在该第一位置时，该槽体为打开且该晶圆卡盘可定位在该处理室内的该晶圆加工位置，在该第二位置时...
【技术特征摘要】
1.一种处理晶圆的系统，该系统包括：
2.如权利要求1所述的系统，还包括：
3.如权利要求1所述的系统，其中，该晶圆卡盘是操作地耦接至一腔室门，该腔室门适于结合该处理室的一正面以关闭该处理室，从而将该晶圆卡盘定位在该处理室内的该晶圆加工位置。
4.如权利要求3所述的系统，其中，该晶圆卡盘集成形成于该腔室门。
5.如权利要求1所述的系统，其中，该系统还包括与该处理室连通的一槽体以及适于从一第一位置移动移动至一第二位置的一滑动门，藉此，在该第一位置时，该槽体为打开且该晶圆卡盘可定位在该处理室内的该晶圆加工位置，在该第二位置时，该滑动门阻止该槽体且该晶圆卡盘无法定位在该处理室内。
6.如权利要求2所述的系统，其中，该晶圆提升系统包括用于将该至少一晶圆提升销从一完全缩回位置移动到该提升销晶圆转移位置的装置。
7.如权利要求6所述的系统，其中，用于移动该至少一晶圆提升销的该装置包括一可移动本体，一马达，操作性地耦接至该马达的一小齿轮，以及操作地耦接至该可移动本体的一支架，其中，该至少一晶圆提升销是操作性地耦接至该可移动本体，而该支架和该小齿轮适于操作地相互接合。
8.如权利要求1所述的系统，其中，该处理室具有不超过5升的一体积，且其中，该处理室的尺寸被界定为使得在任何给定时间只能在该处理室中处理一单晶圆。
9.如权利要求1所述的系统，其中，该处理室适于对定位于其中的一晶圆执行一退火工艺，其中，该退火工艺在至少0.5mpa的压力使用包含氘或一卤素的一处理气体执行。
10.如权利要求1所述的系统，其中，该处理室包括该处理室的一底板中的一切口凹口，其中，该切口凹口适于当该晶圆夹盘位于该处理室内的该晶圆加工位置时，接收该晶圆卡盘。
11.如权利要求2所述的系统，其中，该至少一晶圆提升销包括三个晶圆提升销。
12.一种处理晶圆的系统，该系统包括：
13.如权利要求12所述的系统，...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·维兰德，N·迪克，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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