掺氟氧化锡靶材的制备方法技术

本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种掺氟氧化锡靶材的制备方法。将原料的粉体混合物压制成型后烧结；粉体混合物包括：70wt.％～99.9wt.％SnO<subgt;2</subgt;、0.1wt.％～10wt.％金属氟化物；0wt.％～10wt.％金属氧化物；0wt.％～10wt.％助烧剂；金属氟化物的熔点大于800℃。本申请提供的掺氟氧化锡靶材的制备方法，使用高熔点(>800℃)的金属氟化物替代氟化亚锡作为掺氟氧化锡靶材的氟源，从根本上解决了靶材高温烧结过程中金属氟化物分解的问题，从而提高了靶材成分的控制精度，进而能够有效地提升掺氟氧化锡薄膜的光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种掺氟氧化锡靶材的制备方法。

技术介绍

1、in2o3基透明导电材料是目前工业界最常用的透明导电氧化物(tco)，但由于铟金属的稀有性以及in2o3在还原性气氛及相对高湿度空气环境下的不稳定性，近些年来，氧化锡基的tco薄膜作为氧化铟基tco薄膜的替代品被开发利用，其中最受关注的掺氟氧化锡(fto)薄膜被广泛用于太阳能电池、触摸屏液晶显示屏、薄膜晶体管、有机和无机半导体激光器、隔热节能玻璃等

2、目前，制备fto薄膜的主要方法包括溶胶水热法、喷雾热解法、化学气相沉积法(cvd)以及物理气相沉积法(pvd)。其中，物理气相沉积方法(pvd)，如磁控溅射法(ms)、反应等离子体沉积法(rpd)、离子束溅射法(is)等，由于成本低、工艺简单、兼容低温工艺、易于操作从而适合于大规模工业生产的特点获得了广泛的应用。利用物理气相沉积法(pvd)制备氧化锡基透明导电氧化物薄膜成为行业研究的一大热点。

3、工业上常用于物理气相沉积法(pvd)制备掺氟氧化锡(fto)薄膜的靶材为非金属靶，由氧化锡粉末、氟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡靶材的制备方法，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兴谦，杜小龙，李昊臻，刘尧平，
申请(专利权)人：松山湖材料实验室，
类型：发明
国别省市：

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