封装结构及其制造方法技术

技术编号:43673009 阅读:33 留言:0更新日期:2024-12-18 20:58
本公开实施例提供一种封装结构及其制造方法。所述方法包括:提供第一芯片,所述第一芯片的表面具有感应区域;在所述第一芯片具有感应区域一侧设置保护层;所述保护层至少覆盖所述感应区域;将所述第一芯片设于中介层一侧,所述第一芯片位于所述中介层和所述保护层之间;在所述中介层一侧对所述第一芯片进行塑封,以形成塑封层;去除所述保护层,以暴露出所述感应区域;其中,所述塑封层覆盖所述第一芯片侧壁。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体,尤其涉及一种封装结构及其制造方法


技术介绍

1、随着半导体封装技术的迅速发展,封装结构的体积越来越小,封装结构的集成度越来越高。在芯片-晶圆-基板(chip-on-wafer-on-substrate,cowos)封装中,通常会在芯片表面覆盖塑封材料,而传感芯片所需要采集的感应信号无法穿透塑封材料。因此,目前的封装结构不适合对传感芯片进行封装。

2、因此,亟需提供一种封装结构及其制造方法。


技术实现思路

1、有鉴于此,本公开实施例提供一种封装结构及其制造方法。

2、为达到上述目的,本公开的技术方案是这样实现的:

3、第一方面,本公开实施例提供一种封装结构的制造方法,所述方法包括:提供第一芯片,所述第一芯片的表面具有感应区域;在所述第一芯片具有感应区域一侧设置保护层;所述保护层至少覆盖所述感应区域;将所述第一芯片设于中介层一侧,所述第一芯片位于所述中介层和所述保护层之间;在所述中介层一侧对所述第一芯片进行塑封,以形成塑封层;去除所述保护层,以暴露出所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述中介层一侧还设有第二芯片,所述第一芯片和所述第二芯片设于所述中介层同一侧;

3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述在所述第一芯片具有感应区域一侧设置保护层,包括:

4.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述第一芯片和所述保护层之间还设有围绕所述感应区域的凸起结构;

5.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述第一芯片沿垂直于所述中介层方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介层方向的高度;

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【技术特征摘要】

1.一种封装结构的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述中介层一侧还设有第二芯片,所述第一芯片和所述第二芯片设于所述中介层同一侧;

3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述在所述第一芯片具有感应区域一侧设置保护层,包括:

4.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述第一芯片和所述保护层之间还设有围绕所述感应区域的凸起结构;

5.根据权利要求3所述的制造方法,其特征在于,所述第一芯片沿垂直于所述中介层方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介层方向的高度;

6.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述第一芯片沿垂直于所述中介层方向的高度小于或者等于所述第二芯片沿垂直于所述中介层方...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪松刘俊哲王逸群
申请(专利权)人:湖北江城芯片中试服务有限公司
类型:发明
国别省市:

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