存储器装置及其制造方法制造方法及图纸

一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包括单元插塞以及设置在单元插塞上的绝缘图案，绝缘图案包括分别与单元插塞相对应的开口。存储器装置还包括设置在绝缘图案上的位线以及设置在开口中以分别联接单元插塞和位线的位线接触部。存储器装置还包括设置在位线之间的第一气隙。存储器装置另外包括第二气隙，该第二气隙从第一气隙延伸并且由位线接触部和绝缘图案围绕。

【技术实现步骤摘要】

本公开的各种实施方式总体上涉及存储器装置以及制造该存储器装置的方法，并且更具体地，涉及包括位线的存储器装置以及制造该存储器装置的方法。

技术介绍

1、存储器装置可以是其中即使切断供应的电力也维持所存储的数据的非易失性存储器装置。非易失性存储器装置可以根据布置存储器单元的结构而被分类为二维(2d)结构或三维(3d)结构。具有2d结构的非易失性存储器装置的存储器单元可以以单层布置在基板上，而具有3d结构的非易失性存储器装置的存储器单元可以垂直地层叠在基板上。由于具有3d结构的非易失性存储器装置的集成度高于具有2d结构的非易失性存储器装置的集成度，因此使用具有3d结构的非易失性存储器装置的电子装置被越来越多地使用。

技术实现思路

1、本公开的一个实施方式涉及一种存储器装置。该存储器装置可以包括：单元插塞；绝缘图案，该绝缘图案设置在单元插塞上并且包括分别与单元插塞相对应的开口；位线，该位线设置在绝缘图案上；位线接触部，该位线接触部设置在开口中以分别联接单元插塞和位线；第一气隙，该第一气隙设置在位线之间；以及第二气隙，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述位线包括钼Mo。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述位线接触部中的每一个位线接触部包括：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述上位线接触部包括钼。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述上位线接触部具有与所述位线中的每一者的宽度相等的宽度。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述上位线接触部接触所述开口中的每一个开口的内壁的一部分。

7.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述下位线接触部填...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述位线包括钼mo。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述位线接触部中的每一个位线接触部包括：

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述上位线接触部包括钼。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述上位线接触部具有与所述位线中的每一者的宽度相等的宽度。

6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述上位线接触部接触所述开口中的每一个开口的内壁的一部分。

7.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述下位线接触部填充所述开口中的每一个开口的下部分。

8.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述第二气隙中的每一个第二气隙由所述第一气隙中的相应一个第一气隙、所述上位线接触部的侧壁、所述开口中的相应一个开口的内壁和所述下位线接触部的上表面围绕。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述覆盖层是氧化物层。

【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：