【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微流控生物芯片，具体涉及一种利用微流控技术在高通量条件下实现单细胞俘获和培养的单细胞俘获/培养集成芯片及其制作方法，以及使用该集成芯片的单细胞俘获和培养的方法。
技术介绍
1、随着微流控和微机械加工技术的不断完善和发展，微全分析系统(micro totalanalysis system，μ-tas)在细胞水平上的生物学研究和临床实验诊断等领域里的优势日趋显著。微流控芯片因功能单元尺寸与细胞大小相当、精度高和检测快速方便等优点，在细胞分析方面表现出了明显的优势。该技术可以将现行所有的细胞分析步骤和过程(如细胞操纵、细胞捕捉/筛选、细胞培养以及在线实时动态监测分析等)整合于一块微芯片上，实现分析操作的一体化，可以减少操作过程中对细胞样本的损伤和污染，非常适合单细胞俘获/培养，此类微芯片叫作微流控生物芯片。本专利技术高通量单细胞俘获/培养集成芯片也属于此类微流控生物芯片。
2、如何从一定体积的细胞悬浮液中分离单个细胞，是进行单细胞分析的前提。传统实验室获取单细胞的方法主要是有限稀释法和显微操作法，在操纵微米尺度细胞样...
【技术保护点】
1.一种高通量单细胞俘获/培养集成芯片，包括硅基片(1)，与该硅基片(1)上下相贴合的上玻璃基片(2)、下玻璃基片(3)，三者键合成一体；其特征在于，在所述硅基片(1)上表面设有顶层流道(4)，顶层流道(4)两端分别开设不贯穿所述硅基片(1)的顶层流道入口(5)、顶层流道出口(6)，所述上玻璃基片(2)在顶层流道入口(5)、顶层流道出口(6)位置对应处分别开设贯穿上玻璃基片(2)，并分别与顶层流道入口(5)、顶层流道出口(6)相对接的顶层进液口(7)与顶层出液口(8)；所述硅基片(1)下表面设有底层流道(9)，底层流道(9)两端分别开设贯穿硅基片(1)的底层流道入口(...
【技术特征摘要】
1.一种高通量单细胞俘获/培养集成芯片，包括硅基片(1)，与该硅基片(1)上下相贴合的上玻璃基片(2)、下玻璃基片(3)，三者键合成一体；其特征在于，在所述硅基片(1)上表面设有顶层流道(4)，顶层流道(4)两端分别开设不贯穿所述硅基片(1)的顶层流道入口(5)、顶层流道出口(6)，所述上玻璃基片(2)在顶层流道入口(5)、顶层流道出口(6)位置对应处分别开设贯穿上玻璃基片(2)，并分别与顶层流道入口(5)、顶层流道出口(6)相对接的顶层进液口(7)与顶层出液口(8)；所述硅基片(1)下表面设有底层流道(9)，底层流道(9)两端分别开设贯穿硅基片(1)的底层流道入口(10)、底层流道出口(11)，所述上玻璃基片(2)在底层流道入口(10)、底层流道出口(11)位置对应处分别开设贯穿上玻璃基片(2)，并分别与底层流道入口(10)、底层流道出口(11)相对接的底层进液口(12)、底层出液口(13)；所述上玻璃基片(2)下表面与硅基片(1)上表面相键合形成顶层流道腔，下玻璃基片(3)上表面与硅基片(1)下表面相键合形成底层流道腔，顶层流道腔、底层流道腔之间穿通该硅基片(1)厚度开设呈阵列分布的细胞俘获/培养单元(14)，每个细胞俘获/培养单元(14)的位于顶层流道腔的上开口与位于底层流道腔的下开口上下相通，上开口2倍以上地大于待俘获/培养的单细胞直径，下开口小于待俘获/培养的单细胞直径，所述高通量单细胞俘获/培养集成芯片仅通过呈阵列分布的细胞俘获/培养单元(14)将顶层流道腔、底层流道腔相联通，从而形成完整的芯片内部腔体结构。
2.如权利要求1所述的高通量单细胞俘获/培养集成芯片，其特征在于，所述硅基片(1)上表面的顶层流道(4)从顶层流道入口(5)至顶层流道出口(6)呈经分多级细化分流后又经分多级粗化合流的布置方式，最细一级的各顶层流道(4)呈相互平行布置；所述硅基片(1)下表面的底层流道(9)从底层流道入口(10)至底层流道出口(11)也呈经分多级细化分流后又经分多级粗化合流的布置方式，最细一级的各也呈相互平行布置。
3.如权利要求2所述的高通量单细胞俘获/培养集成芯片，其特征在于，所述硅基片(1)上表面的顶层流道(4)从顶层进液口(7)至顶层出液口(8)先分化为2条较细的顶层流道(4)，该2条顶层流道(4)继续分化成4条再细的顶层流道(4)，该4条顶层流道(4)继续分化成更细的8条顶层流道(4)，8条顶层流道(4)通过顶层流道(4)中间的细胞俘获/培养区域后，8条顶层流道(4)合并为较粗的4条顶层流道(4)，4条顶层流道(4)合并为再粗的2条顶层流道(4)，2条顶层流道(4)合并为更粗的单条顶层流道(4)，分化后的各顶层流道(4)之间设置有隔离，且位于流道中心的最细一级的8条顶层流道(4)相互平行布置；所述硅基片(1)下表面的底层流道(9)从底层流道入口(10)至底层流道出口(11)也先分化为2条较细的底层流道(9)，该2条底层流道(9)继续分化成4条再细的底层流道(9)，该4条底层流道(9)继续分化成更细的8条底层流道(9)，8条底层流道(9)通过底层流道(9)中间的细胞俘获/培养区域后，8条底层流道(9)合并为较粗的4条底层流道(9)，4条底层流道(9)合并为再粗的2条底层流道(9)，2条底层流道(9)合并为更粗的单条底层流道(9)，分化后的各底层流道(9)之间设置有隔离，且位于流道中心的最细一级的8条底层流道(9)也相互平行布置。
4.如权利要求1所述的高通量单细胞俘获/培养集成芯片，其特征在于，所述硅基片(1)为厚度为300μm、表面为[100]晶面、双面抛光的硅基片(1)，所述硅基片(1)上表面的顶层流道(4)深20至30μm，宽度在100至700μm，保证高通量条件下细胞可以顺畅通过；所述硅基片(1)下表面的底层流道(9)深230至2...
【专利技术属性】
技术研发人员：何欣荣，陈晓鹏，凌思佳，曹馨艺，韩蕴哲，郜晚蕾，金庆辉，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：
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