结构改进的硅堆制造技术

本实用新型专利技术公开了一种结构改进的硅堆，它包括一绝缘基座和至少两个的整流二极管，所述的绝缘基座的左右两侧面上设置用于插设所述整流二极管的插孔，所述整流二极管的两端电极引线分别伸出于所述插孔的两端，并相互串联连接。本实用新型专利技术提供的硅堆中，二极管插接在绝缘板上设置的插孔中，设置于其两端的电极引线则向外伸出于插孔外，使得两端的电极引线的交错处较长，可以重叠焊接，因而其焊接可靠，不会产生“虚焊”的现象。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体整流器件，具体地涉及一种新型结构的硅堆。
技术介绍
现有的硅堆一般包括一排列有若干个通孔的绝缘板和若干个整流二极管，每个整 流二极管的两根电极引脚以相互串联的方式焊接。但是，由于现有的绝缘板呈一平板状，设 置在绝缘板上方的二极管需穿过绝缘板而后相互焊接，导致两根电极引脚的长度较短，接 触面较小，因而导致焊点小，焊接可靠性差，强度弱，且容易出现"虚焊"的现象。另外，由于 二极管全部平铺在绝缘板的表面，因此，对于需要焊接大量二极管的硅堆来说，其占用体积 过大，强度过小，容易在运输、仓储过程中损坏。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型的硅堆，以解决现有技术中存在的上述问题。本技术提供的硅堆中，二极管插接在绝缘基座上设置的插孔中，设置于其两端的电极引线则向外伸出于插孔外，使得两端的电极引线的交错处较长，可以重叠焊接，因而其焊接可靠，不会产生"虚焊"的现象。 本技术提供如下技术方案 结构改进的硅堆，它包括一绝缘基座和至少两个的整流二极管，其特征在于所述 的绝缘基座的左右两侧面上设置用于插设所述整流二极管的插孔，所述整流二极管的两端 电极引线分别伸出于所述插孔的两端，并相互串联连接。 本技术的一较佳实施例中，该绝缘基座中还设置有至少一个的散热孔，所述散热孔设置在对应于所述插孔的位置，并贯穿于所述绝缘基座的上下两侧面。 本技术的一较佳实施例中，所述插孔从前向后依次排列在绝缘基座上；所述的散热孔为至少一条的条状孔，其起始端对应于最前端的插孔，并向后延伸至对应于最后端插孔的位置。 本技术的一较佳实施例中，该绝缘基座中还设置有至少一个的散热孔，所述散热孔设置在对应于所述插孔的位置，并贯穿于所述绝缘基座的前后两侧面。 本技术的一较佳实施例中，所述插孔从上到下依次排列在绝缘基座上；所述的散热孔为至少一条的条状孔，其起始端对应于最下端的插孔，并向上延伸至对应于最上端插孔的位置。 本技术的一较佳实施例中，所述绝缘基座的前后两端分别设置一上下延伸的 螺孔，用于将硅堆固定到其他的电子元件上。 本技术的一较佳实施例中，所述的绝缘基座采用环氧树脂、红电木、聚四氧乙 烯材料制成，与单纯环氧树脂制得的绝缘基座相比，该绝缘层的热阻低，传导性能高，散热 效果好。 除非特别指明，这里所使用的所有技术和科学术语的含义与本技术所属技术3领域一般技术人员通常所理解的含义相同。同样，所有在此提及的出版物、专利申请、专利 及其它参考资料均可以弓I入本技术作为参考。 由上述对本技术结构的描述可知，和现有技术相比，本技术具有如下优 点 1、二极管插接在绝缘基座上设置的插孔中，设置于其两端的电极引线则向外伸出 于插孔外，使得两端的电极引线的交错处较长，可以重叠焊接，因而其焊接可靠，不会产生 "虚焊"的现象； 2、对于需要设置大量二极管的硅堆来说，由于二极管纵向排列在绝缘板中，因此， 其所占用的体积小，硅堆产品的强度高； 3、另外，为防止插接在绝缘板中的二极管热量过高，绝缘板中还可以设置大量的 散热孔，且选择用导热性能较好的材料来制成绝缘板，用以将二极管产生的热量快速传导 出来。附图说明图1为本技术绝缘基座的俯视图； 图2为本技术绝缘基座的主视图； 图3为图2的A-A剖视图。具体实施方式实施例1 本技术的具体实施例，结构改进的硅堆，参照图1、图2和图3中所示，它包括 一绝缘基座1和至少两个的整流二极管(图中未示)。 绝缘基座1的左右两侧面上从前到后依次排列设置有两排用于插设整流二极管 的插孔ll，整流二极管的两端电极引线分别伸出于插孔11的两端，并相互串联连接(图中 未示)。 散热孔12为一条状孔，其起始端对应于最前端的插孔，并向后延伸至对应于最后 端插孔的位置。绝缘基座1的前后两端则分别设置一上下延伸的螺孔13，用于将硅堆固定 到其他的电子元件上。 绝缘基座11采用环氧树脂、红电木、聚四氧乙烯材料制成，其热阻低，传导性能 高，散热效果好。 上述实施例为本技术较佳的实施方式，但本技术的实施方式并不受上述 实施例的限制，其它的任何未背离本技术的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替 代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本技术的保护范围之内。权利要求结构改进的硅堆，它包括一绝缘基座和至少两个的整流二极管，其特征在于所述的绝缘基座的左右两侧面上设置用于插设所述整流二极管的插孔，所述整流二极管的两端电极引线分别伸出于所述插孔的两端，并相互串联连接。2. 根据权利要求1中所述的结构改进的硅堆，其特征在于该绝缘基座中还设置有至 少一个的散热孔，所述散热孔设置在对应于所述插孔的位置，并贯穿于所述绝缘基座的上 下两侧面。3. 根据权利要求2中所述的结构改进的硅堆，其特征在于所述插孔从前向后依次排 列在绝缘基座上；所述的散热孔为至少一条的条状孔，其起始端对应于最前端的插孔，并向 后延伸至对应于最后端插孔的位置。4. 根据权利要求1中所述的结构改进的硅堆，其特征在于该绝缘基座中还设置有至 少一个的散热孔，所述散热孔设置在对应于所述插孔的位置，并贯穿于所述绝缘基座的前 后两侧面。5. 根据权利要求4中所述的结构改进的硅堆，其特征在于所述插孔从上到下依次排 列在绝缘基座上；所述的散热孔为至少一条的条状孔，其起始端对应于最下端的插孔，并向 上延伸至对应于最上端插孔的位置。6. 根据权利要求1或2或3或4或5中所述的结构改进的硅堆，其特征在于所述绝 缘基座的前后两端分别设置一上下延伸的螺孔。专利摘要本技术公开了一种结构改进的硅堆，它包括一绝缘基座和至少两个的整流二极管，所述的绝缘基座的左右两侧面上设置用于插设所述整流二极管的插孔，所述整流二极管的两端电极引线分别伸出于所述插孔的两端，并相互串联连接。本技术提供的硅堆中，二极管插接在绝缘板上设置的插孔中，设置于其两端的电极引线则向外伸出于插孔外，使得两端的电极引线的交错处较长，可以重叠焊接，因而其焊接可靠，不会产生“虚焊”的现象。文档编号H01L25/11GK201514943SQ20092031047公开日2010年6月23日 申请日期2009年9月16日 优先权日2009年9月16日专利技术者魏文深 申请人:厦门市天源兴环保科技有限公司;魏文深本文档来自技高网...

【技术保护点】
结构改进的硅堆，它包括一绝缘基座和至少两个的整流二极管，其特征在于：所述的绝缘基座的左右两侧面上设置用于插设所述整流二极管的插孔，所述整流二极管的两端电极引线分别伸出于所述插孔的两端，并相互串联连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏文深，
申请(专利权)人：厦门市天源兴环保科技有限公司，魏文深，
类型：实用新型
国别省市：92[中国|厦门]