【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种用于化学气相沉积设备的基座组件及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积设备中，采用基座组件驱动晶圆在腔体内转动。如图1所示，基座组件包括晶圆基座2和气浮基座1，晶圆基座2用于承载晶圆并在气浮基座1上回转。气浮基座1和晶圆基座2之间设有旋转轴3，旋转轴3的轴体分别位于气浮基座1和晶圆基座2内，在工艺过程中，气体驱动晶圆基座2绕旋转轴3旋转，旋转轴3与气浮基座1以及晶圆基座2之间产生摩擦，导致旋转轴3与气浮基座1以及晶圆基座2之间的配合间隙变大，使得旋转轴3和晶圆基座2配合不再垂直，则晶圆基座2的回转运动轨迹不再是同心圆，而是椭圆形或是不稳定地旋转，如此一来既扰乱了晶圆处的工艺气流，导致晶圆温度不均匀，导致晶圆表面的加工质量降低。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种用于化学气相沉积设备的基座组件及化学气相沉积设备，能够保证旋转轴与晶圆基座的垂直度。
2、为实现上述目的，本技术提供一种用于化学气相沉积设备的基座组件，其包含：气浮基座，其...
【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，所述晶圆基座包括所述嵌入件，所述晶圆基座还包括晶圆基座本体，所述晶圆基座本体包括所述第二表面，所述第二表面与第一表面相对设置，所述晶圆基座本体具有凹陷于所述第二表面的第一凹槽，所述第一凹槽与旋转轴底部容纳槽相对设置，所述嵌入件设置于所述第一凹槽内，所述嵌入件设有所述旋转轴顶部容纳槽。
3.如权利要求2所述的用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，所述晶圆基座本体的材料包括：石墨；所述嵌入件的材料包括：碳化硅或者Si3
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【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，所述晶圆基座包括所述嵌入件，所述晶圆基座还包括晶圆基座本体，所述晶圆基座本体包括所述第二表面，所述第二表面与第一表面相对设置，所述晶圆基座本体具有凹陷于所述第二表面的第一凹槽，所述第一凹槽与旋转轴底部容纳槽相对设置，所述嵌入件设置于所述第一凹槽内，所述嵌入件设有所述旋转轴顶部容纳槽。
3.如权利要求2所述的用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，所述晶圆基座本体的材料包括：石墨；所述嵌入件的材料包括：碳化硅或者si3n4。
4.如权利要求3所述的用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，还包括：涂覆于第二表面和嵌入件表面的保护层。
5.如权利要求2所述的用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，所述晶圆基座本体还包括第三表面，所述第三表面与第二表面相对设置，所述第一凹槽的底部到第三表面的距离大于0。
6.如权利要求2所述的用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，所述旋转轴顶部容纳槽的顶角为倒角；所述嵌入件与第一凹槽的侧壁贴合。
7.如权利要求2或6所述的用于化学气相沉积设备的基座组件，其特征在于，所述嵌入件的高度小于等于第一凹槽的深度。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪国元，代宇通，姜勇，郭世平，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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