【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备，具体地涉及一种低温等离子体混合诊断设备及方法。
技术介绍
1、现有技术中，使用朗缪尔探针进行低温等离子体的诊断，获得等离子体的相关特性参数(如电子温度、电子密度等)。实际应用于半导体制造设备时，由于朗缪尔探针属于侵入式探测，其长期处于等离子体中，随着半导体制造设备的运行，不断产生等离子体造成杂质沉积于探针表面或因等离子体反应破坏探针表面，从而会改变探针的性质造成量测数据无效，需要中断量测对朗缪尔探针清洗。光谱仪虽为非侵入式设备，能不受半导体设备中等离子体反应的影响进行量测，但难于测定电子密度。现有技术无法支持长时间不间断诊断低温等离子体的相关特性。
技术实现思路
1、基于现有技术存在的技术问题，本专利技术提供一种低温等离子体混合诊断设备及方法，解决现有等离子体诊断设备及方法无法长时间不间断监测等离子体特性的问题，实现将朗缪尔探针与光谱仪相结合。
2、依据本专利技术的技术方案，本专利技术提供了一种低温等离子体混合诊断设备，其包括有朗缪尔探针和光谱仪探头，...
【技术保护点】
1.一种低温等离子体混合诊断设备，其特征在于，其包括有朗缪尔探针(3)和光谱仪探头(4)，朗缪尔探针(3)伸入半导体制造设备腔体(1)内，光谱仪探头(4)紧贴于半导体制造设备腔体(1)的观察窗外；朗缪尔探针(3)和光谱仪探头(4)均与信号处理电路(7)相连接，信号处理电路(7)与上位机(8)相连接；
2.一种低温等离子体混合诊断方法，其特征在于，其采用根据权利要求1所述的低温等离子体混合诊断设备，其包括有如下步骤：
3.根据权利要求2所述的低温等离子体混合诊断方法，其特征在于，步骤S1中具体包括如下内容：
4.根据权利要求2所述的低...
【技术特征摘要】
1.一种低温等离子体混合诊断设备，其特征在于，其包括有朗缪尔探针(3)和光谱仪探头(4)，朗缪尔探针(3)伸入半导体制造设备腔体(1)内，光谱仪探头(4)紧贴于半导体制造设备腔体(1)的观察窗外；朗缪尔探针(3)和光谱仪探头(4)均与信号处理电路(7)相连接，信号处理电路(7)与上位机(8)相连接；
2.一种低温等离子体混合诊断方法，其特征在于，其采用根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁亚飞，闫瑞鑫，苏恒毅，
申请(专利权)人：盛吉盛半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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