【技术实现步骤摘要】
本申请属于靶材制备，尤其涉及一种硅靶材及其制备方法和光学器件。
技术介绍
1、二氧化硅薄膜具有优良的光学性能、介电绝缘性、耐磨性以及抗侵蚀能力强等特性，在光学、微电子等领域有着广泛的应用前景，是目前国际上广泛关注的功能材料。目前，二氧化硅薄膜的制备方法包括化学气相沉积（cvd）和物理气相沉积（pvd）等多种方法。其中，cvd方法是通过将硅源和氧源在高温下进行化学反应生成二氧化硅气体，再在基底表面反应生成二氧化硅薄膜，但是，其存在所用的硅源毒性大，反应尾气污染环境，以及沉积温度高等缺陷。相比之下，pvd方法中的磁控溅射以硅靶材作为原料，不需要前驱体，绿色环保，并且工业生产成熟、成膜质量好，有望成为制备二氧化硅薄膜的主流方法。
2、但是，纯硅靶材导电导热较差，在溅射过程中产生的热量难以迅速传递和扩散，从而影响靶材使用寿命和镀膜稳定性，并且能承受的溅射功率较低，导致镀膜效率较低。因此需要对硅靶材进行掺杂以提升其导电导热性能，提高镀膜效率和稳定性，以及改善成膜质量。
3、常用于制备掺杂硼的硅靶材的方法包括：将硅粉和硼粉高...
【技术保护点】
1.一种硅靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用气态硼烷对第一硅粉进行硼扩散处理的步骤包括：
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述还原性气体和所述气态硼烷的体积比为（96~99）/（1~4）；
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述气态硼烷选自乙硼烷或丁硼烷；
5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，满足以下条件中的一种或多种：
6.如权利要求1~5任一项所述的制备方法，其特征在于，将所述混合粉热喷涂到背管上的步骤包括：利用大气等...
【技术特征摘要】
1.一种硅靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用气态硼烷对第一硅粉进行硼扩散处理的步骤包括：
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述还原性气体和所述气态硼烷的体积比为（96~99）/（1~4）；
4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述气态硼烷选自乙硼烷或丁硼烷；
5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，满足以下条件中的一种或多种：
6.如权利要求1~5任一项所述的制备方法，其特征在于，将所述混合粉热喷涂到背管上的步骤包括：利用大气等离子喷涂设备，在常压、大气气氛下，将所述混合粉喷涂到背管上。
...【专利技术属性】
技术研发人员：黄甘廷，胥小勇，周贤界，黄勇彪，
申请(专利权)人：深圳众诚达应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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