【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体,尤其涉及一种用于薄膜真空规的量程变换器。
技术介绍
1、薄膜真空规凭借其精确的真空度测量和控制,广泛的用于半导体领域,并且是半导体设备的技术含量极高的核心部件之一,是实现工艺制造优化、设备保护、生产效率提高和产品质量保证核心支撑。
2、薄膜真空规能够提供高精度的真空度测量和控制,对于半导体制造过程中需要精确控制的工艺参数至关重要,其高灵敏度和低漂移性能确保了在不同工艺气体压力的精确测量。半导体制造过程中的许多工艺制程,如化学气相沉积(chemical vapor deposition,cvd)、物理气相沉积(physical vapor deposition,pvd)、刻蚀等,都依赖于准确的工艺气压的控制。薄膜真空规能够提供实时的真空度数据,决定了工艺参数的优化方向,产品良率和一致性提高的达成。半导体制造过程中,需要大量的过程控制数据来支持质量控制和生产优化。薄膜真空规提供的准确真空度数据为过程控制和质量分析提供了可靠的数据支持,用于识别和解决潜在问题。
3、但不同的工艺制程对薄膜真空规的量程要
...【技术保护点】
1.一种用于薄膜真空规的量程变换器,其特征在于,所述量程变换器包括输入接口、信号处理电路、输出接口;
2.根据权利要求1所述的量程变换器,其特征在于,如果上位机机台与第一量程的薄膜真空规配合,若使用第二量程的薄膜真空规替代第一量程的薄膜真空规,第二量程小于第一量程;
3.根据权利要求2所述的量程变换器,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的量程变换器,其特征在于,信号处理电路包括同相放大器,同相放大器的同相输入端接薄膜真空规的输出信号,同相放大器的反相输入端通过一个电阻网络接反馈,同相放大器通过反馈保持反相输入端电压等于同相输入端电
5...
【技术特征摘要】
1.一种用于薄膜真空规的量程变换器,其特征在于,所述量程变换器包括输入接口、信号处理电路、输出接口;
2.根据权利要求1所述的量程变换器,其特征在于,如果上位机机台与第一量程的薄膜真空规配合,若使用第二量程的薄膜真空规替代第一量程的薄膜真空规,第二量程小于第一量程;
3.根据权利要求2所述的量程变换器,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的量程变换器,其特征在于,信号处理电路包括同相放大器,同相放大器的同相输入端接薄膜真空规的输出信号,同相放大器的反相输入端通过一个电阻网络接反馈,同相放大器通过反馈保持反相输入端电压等于同相输入端电压;
5.根据权利要求1所述的量程变换器,其特征在于,如果上位机机台与第三量程的薄膜真空规配合,若使用第四量程的薄膜真空规替代第...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏涛,张心强,郜晨希,徐亚辉,刘瑞琪,林琳,孙小孟,张沙,郑旭,闫明,李超波,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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