真空炉防漏保护装置、其配方及制备工艺制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种真空炉防漏保护装置、其配方及制备工艺。本发明专利技术的技术方案如下：它是与真空炉底形状相吻合的容器。本发明专利技术具有硬度高、可耐受２４００℃高温和真空高压的优点，能够确保在真空炉内熔炼坩埚破裂、被熔炼的液态原料渗漏的情况下，真空炉体不发生爆炸，并且成本低使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种真空炉防漏保护装置、其配方及制备工艺。
技术介绍
真空炉主要用于提炼某种特定高纯度的金属或非金属单质，如提炼高纯度的黄金或高纯 度的硅等。但是在提炼过程中、在密封的炉体内一般炉温都高达170(TC以上，在如此高的温度下，真空炉中盛放原料液的坩埚容易产生破裂而造成原料液渗漏，高达170(TC以上的料液 渗漏而滴落到真空炉的炉体底部后，由于炉体底部无法承受如此的高温，而使炉体被击穿， 造成炉体夹层中的冷却水，瞬间遇高温而被分解产生大量的气体，使炉体内瞬间产生高压气 体而发生爆炸。但是国内外至今还无法解决因坩埚破裂而产生的料液击穿真空炉底而产生的 爆炸问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种安全可靠、即使坩埚破裂、 也不会因料液渗漏而击穿真空炉底而造成爆炸的真空炉防漏保护装置、其配方及制备工艺。本专利技术的技术方案如下它是与真空炉底形状相吻合的容器。该容器采用下列重量分数比的物质配方混合制成电极糊80 95%，碳化硅2 8%，三氧化 二铝1 9%，氧化镁2 7%，碳酸钠溶液1 9%，水1 8%为主成分，构成100%的混合比；以硅酸钠 粉剂为粘胶剂，添加量为主成分总量的10 20%。本专利技术具有硬度高、可耐受240(TC高温和真空高压的优点，能够确保在真空炉内熔炼坩 埚破裂、被熔炼的液态原料渗漏的情况下，真空炉体不发生爆炸，并且成本低使用寿命长。附图说明图l是本专利技术的一种结构的示意图。图2是本专利技术另一种结构的示意图。标号说明l容器、2轴孔、3内边沿、4外边沿。具体实施例方式如图1所示，本专利技术为中间设有轴孔、底部为偏平形(如图l所示)的或圆弧形(如图2 所示)、在轴孔边和外侧边分别设有向上凸起的内边沿和外边沿的环形容器。外边沿的外径与高压真空炉内壁面的内径相吻合。 实施例l:本专利技术的真空炉防漏保护装置是由下列重量分数比的物质混合制成电极糊80%，碳化 硅5%，三氧化二铝5%，氧化镁5%，碳酸钠溶液(浓度为95%) 3%，水2%为主成分，构成100% 的混合比；以硅酸钠粉剂为粘胶剂，添加量为主成分的15%。本专利技术的制备工艺如下以电极糊、碳化硅、三氧化二铝、氧化镁为主要原料，以硅酸 钠(俗称水玻璃)粉剂为粘合剂，采用超纯水将上述物质进行混合搅拌均匀后，铸模成型， 然后通过高温煅烧、压型等工序加工而成，在煅烧过程中由于水分不断蒸发，导致煅烧的模 型不断縮小，所以需要不断往模具中填充模型的上述混合材料，并压实，以保证整体密度一 致、受热均匀不易开裂。煅烧过程需要持续6小时左右，并经过自然冷却后方可从模具中取 出模型。实施例2:该容器采用下列重量分数比的物质配方混合制成电极糊90%，碳化硅2%，三 氧化二铝1%，氧化镁2%，碳酸钠溶液(浓度为95%) 3%，水2%。硅酸钠添加量为主成分总量 的10%;其余与实施4例1相同。实施例3:该容器采用下列重量分数比的物质配方混合制成电极糊85%，碳化硅3%，三 氧化二铝4%，氧化镁3%，碳酸钠溶液(浓度为95%) 4%，水1%。硅酸钠添加量为主成分总量 的16%;其余与实施例l相同。实施例4:该容器采用下列重量分数比的物质配方混合制成电极糊85%，碳化硅4%，三 氧化二铝4%，氧化镁2%，碳酸钠溶液(浓度为95%) 2%，水3%。硅酸钠添加量为主成分总量 的18%，其余与实施例l相同。实施例5:该容器采用下列重量分数比的物质配方混合制成电极糊93%，碳化硅2%，三 氧化二铝1%，氧化镁2%，碳酸钠溶液(浓度为95%) 1%，水1%。硅酸钠添加量为主成分总量 的20%;其余与实施例l相同。实施例5:该容器采用下列重量分数比的物质配方混合制成电极糊83%，碳化硅3%，三 氧化二铝3%，氧化镁3%，碳酸钠溶液(浓度为95%) 3%，水5%。硅酸钠添加量为主成分总量 的12%;其余与实施例l相同。本专利技术可以由权利要求l中各成分区间范围内的任意值组成的物质配方制成本专利技术产品权利要求1.一种真空炉防漏保护装置，其特征在于它是与真空炉底形状相吻合的容器。2 根据权利要求l所述的真空炉防漏保护装置，其特征在于所述的 容器为中间设有轴孔、底部为偏平形的或圆弧形、在轴孔边和外侧边均设有向上凸起的外边 沿的环形容器；外边沿的外径与高压真空炉内壁面的内径相吻合。3 根据权利要求或1或2所述的真空炉防漏保护装置的配方，其特征 在于该容器采用下列重量分数比的物质配方混合制成以电极糊80 95%，碳化硅2 8%，三 氧化二铝1 9%，氧化镁2 7%，浓度为95%的碳酸钠溶液1 9%，水1 8%为主成分，构成100%的 混合比；以硅酸钠粉剂为粘胶剂，添加量为主成分总量的10 20%。4 根据权利要求或3所述的真空炉防漏保护装置的配方，其特征在于 :它是由下列重量分数比的物质混合制成电极糊80%，碳化硅5%，三氧化二铝5%，氧化镁 5%，浓度为95%的碳酸钠溶液3%，水2%为主成分，构成100%的混合比；以硅酸钠粉剂为粘胶 剂，添加量为主成分总量的15%。5 根据权利要求或3所述的真空炉防漏保护装置的配方，其特征在于 :它是由下列重量分数比的物质混合制成电极糊90%，碳化硅2%，三氧化二铝1%，氧化镁 2%，浓度为95%的碳酸钠溶液3%，水2%;硅酸钠添加量为主成分总量的10%。6 根据权利要求或3所述的真空炉防漏保护装置的配方，其特征在于 :它是由下列重量分数比的物质混合制成电极糊85%，碳化硅3%，三氧化二铝4%，氧化镁 3%，浓度为95%的碳酸钠溶液4%，水1%;硅酸钠添加量为主成分总量的16%。7 根据权利要求或3所述的真空炉防漏保护装置的配方，其特征在于 :它是由下列重量分数比的物质混合制成电极糊85%，碳化硅4%，三氧化二铝4%，氧化镁 2%，浓度为95%的碳酸钠溶液2%，水3%;硅酸钠添加量为主成分总量的18%。8 根据权利要求或3所述的真空炉防漏保护装置的配方，其特征在于 :它是由下列重量分数比的物质混合制成电极糊93%，碳化硅2%，三氧化二铝1%，氧化镁2%，浓度为95%的碳酸钠溶液1%，水1%;硅酸钠添加量为主成分总量的20%。9.根据权利要求或3所述的真空炉防漏保护装置的配方，其特征在于 :它是由下列重量分数比的物质混合制成电极糊83%，碳化硅3%，三氧化二铝3%，氧化镁 3%，浓度为95%的碳酸钠溶液3%，水5%。硅酸钠添加量为主成分总量的12%。10.根据权利要求3 中的任意一项所述的真空炉防漏保护装置的制 备工艺，其特征在于以电极糊、碳化硅、三氧化二铝、氧化镁、碳酸钠溶液、水为主要原 料，以硅酸钠粉剂为粘合剂，用超纯水将上述物质进行混合搅拌均匀后，铸模成型，然后通 过高温煅烧、压型等工序加工而成，在煅烧过程中由于水分不断蒸发，导致煅烧的模型不断 縮小，所以需要不断往模具中填充模型的上述混合材料，并压实，以保证整体密度一致、受 热均匀不易开裂。煅烧过程需要持续6小时左右，并经过自然冷却后方可从模具中取出模型全文摘要本专利技术涉及一种真空炉防漏保护装置、其配方及制备工艺。本专利技术的技术方案如下它是与真空炉底形状相吻合的容器。本专利技术具有硬度高、可耐受2400℃高温和真空高压的优点，能够确保在真空炉内熔炼坩埚破裂、被熔炼的液态原料渗漏的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空炉防漏保护装置，其特征在于：它是与真空炉底形状相吻合的容器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴雄，
申请(专利权)人：龙岩市龙创硅业有限公司，吴雄，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]