【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片巨量转移,尤其是涉及一种磁化矩形led芯片一体式电磁定向下落机构及工艺。
技术介绍
1、mii/micro led技术作为显示领域的前沿创新,正迅速发展。这种技术通过将微小的led芯片转移到基板上,实现高分辨率和高亮度的显示效果。巨量转移技术是实现高效率显示面板制造的核心,它使得数百万计的微型led芯片能够以极高的精确度和迅速的速度被定位到基板上。这项技术的发展对于提升显示设备的性能,尤其是在智能手机、电视和车载显示器等领域具有重要意义。随着制造工艺的不断进步和成本的降低,mini/micro led显示技术有望在未来几年内得到广泛应用。随着技术的成熟,mini/micro led显示产品开始进入市场,尤其是在高端显示设备领域。这些产品以其出色的显示性能和耐用性,满足了消费者对高质量视觉体验的需求。未来,随着生产成本的进一步降低和制造工艺的优化,mini/micro led技术有望在更广泛的应用场景中得到普及,包括商业广告公共信息显示以及个人电子设备等。
2、当前,mini/micro led技术的巨量转移
...【技术保护点】
1.一种磁化矩形LED芯片一体式电磁定向下落机构,其特征在于:包括用于存储流体并提供流动环境的流动腔室、磁控下落部、转移基板,流动腔室的两端分别设置有供流体进出的端口,磁控下落部设置于流动腔室的中部上方,磁控下落部包括自上而下依次设置的第一磁场单元和第二磁场单元,第二磁场单元与流动腔室的顶面固定连接,流动腔室的中部底面上设置有安装槽,转移基板与安装槽适配,转移基板与磁控下落部相对设置。
2.根据权利要求1所述的一种磁化矩形LED芯片一体式电磁定向下落机构,其特征在于:第一磁场单元和第二磁场单元均包括绕组线圈、绕线槽、磁性变换电路,绕组线圈分布在绕线槽内,绕
...【技术特征摘要】
1.一种磁化矩形led芯片一体式电磁定向下落机构,其特征在于:包括用于存储流体并提供流动环境的流动腔室、磁控下落部、转移基板,流动腔室的两端分别设置有供流体进出的端口,磁控下落部设置于流动腔室的中部上方,磁控下落部包括自上而下依次设置的第一磁场单元和第二磁场单元,第二磁场单元与流动腔室的顶面固定连接,流动腔室的中部底面上设置有安装槽,转移基板与安装槽适配,转移基板与磁控下落部相对设置。
2.根据权利要求1所述的一种磁化矩形led芯片一体式电磁定向下落机构,其特征在于:第一磁场单元和第二磁场单元均包括绕组线圈、绕线槽、磁性变换电路,绕组线圈分布在绕线槽内,绕组线圈的端子与磁性变换电路电连接,第一磁场单元和第二磁场单元的绕线槽固定连接,第二磁场单元的绕线槽与流动腔室的顶面固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种磁化矩形led芯片一体式电磁定向下落机构,其特征在于:转移基板包括驱动基板和异方性导电膜,驱动基板上设置有若干焊点,驱动基板下方与焊点对应的位置设置有磁吸单元,异方性导电膜通过加热压合固定在驱动基板的表面,异方性导电膜上与焊点对应的位置设置有凹槽,驱动基板的四周与安装槽的边缘密封连接。
4.根据权利要求1所述的一种磁化矩形led芯片一体式电磁定向下落机构,其特征在于:矩形led芯片包括发光结构层、磁化材料层、p型电极引脚、n型电极...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙海威,周海鹏,牛德树,张财政,张利辉,
申请(专利权)人:北京海炬科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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