【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏切片硅片清洗,具体涉及一种用于单晶硅片清洗机的循环换药液方法及系统。
技术介绍
1、目前硅片切割与脱胶完成后,需要进行插片清洗,清洗至10-20万片后,统一更换水或者药液槽;常规操作方法是排水约10min,加入纯水约10min,调配清洗a+b剂,加入水中,同步加热至工艺温度约30-40min,总共用时理论约1h;导致整个清洗线需要等待至少一个小时才能进行生产;平均每天每台机器需要被迫停1h;对产能影响极大,但目前各厂家主要通过增加清洗机与插片机来平衡以上节拍影响,并需要多配分选机进行匹配,造成了大量的成本浪费,占地浪费,人员的等待工时浪费。
2、鉴于此,提出本申请。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种用于单晶硅片清洗机的循环换药液方法及系统,通过判断进入各碱性药液槽体的待清洗硅片的数量参数n是否等于n或者2n+1或者3n+2或者4n+3,满足时将进行相应碱性药液槽体的药液更换,同时其余三个碱性药液槽体正常进行清洗工作,无需停机等待,提高了硅片清洗效率。
2、为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于单晶硅片清洗机的循环换药液方法,其特征在于,所述方法具体包括以下步骤:
2.根据权利要求1中所述的一种用于单晶硅片清洗机的循环换药液方法,其特征在于,所述待清洗硅片的数量参数n是指待清洗硅片进入碱性药液槽Ⅰ或者碱性药液槽Ⅱ或者碱性药液槽Ⅲ或者碱性药液槽Ⅳ中各碱性药液槽的总片数的数量参数。
3.根据权利要求1中所述的一种用于单晶硅片清洗机的循环换药液方法,其特征在于,所述步骤S1中,碱性药液槽Ⅰ更换药液时,待清洗硅片继续输送至碱性药液槽Ⅱ,使n满足2N+1后更换药液;待清洗硅片继续输送至碱性药液槽Ⅲ,使n满足3N+2后更换药液;待清洗
...【技术特征摘要】
1.一种用于单晶硅片清洗机的循环换药液方法,其特征在于,所述方法具体包括以下步骤:
2.根据权利要求1中所述的一种用于单晶硅片清洗机的循环换药液方法,其特征在于,所述待清洗硅片的数量参数n是指待清洗硅片进入碱性药液槽ⅰ或者碱性药液槽ⅱ或者碱性药液槽ⅲ或者碱性药液槽ⅳ中各碱性药液槽的总片数的数量参数。
3.根据权利要求1中所述的一种用于单晶硅片清洗机的循环换药液方法,其特征在于,所述步骤s1中,碱性药液槽ⅰ更换药液时,待清洗硅片继续输送至碱性药液槽ⅱ,使n满足2n+1后更换药液;待清洗硅片继续输送至碱性药液槽ⅲ,使n满足3n+2后更换药液;待清洗硅片继续输送至碱性药液槽ⅳ,使n满足4n-+3后更换药液,即完成硅片清洗。
4.根据权利要求1中所述的一种用于单晶硅片清洗机的循环换...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑志刚,关树军,洪华,路建华,张志称,邓远哲,
申请(专利权)人:乐山市京运通半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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